DDM50S043 时间：2025/7/19 2:49:01 阅读：2

DDM50S043 是一款由 Diodes Incorporated 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率管理应用设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关以及电机控制等场景。DDM50S043 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，结合优化的封装设计，提供了出色的热性能和电气性能，能够在较高的开关频率下保持稳定运行。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻 Rds(on)（最大值）：7.8mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)（典型值）：6.5mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双面散热

特性

DDM50S043 MOSFET 具有极低的导通电阻，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。其先进的沟槽式结构优化了电场分布，增强了器件的雪崩能量承受能力，提高了可靠性和耐用性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 到 20V），支持多种驱动器的兼容性，适用于多种功率转换拓扑结构，如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。
　　此外，DDM50S043 采用了 PowerPAK SO-8 封装，具备优异的热管理性能，双面散热设计有助于在高功率密度应用中保持较低的工作温度，延长器件寿命。
　　该 MOSFET 还具有良好的短路耐受能力，适合在严苛的工业和汽车环境中使用。符合 RoHS 指令和无卤素环保标准，适用于绿色电子产品的设计需求。

应用

DDM50S043 被广泛应用于各种高性能电源管理系统中，包括但不限于：同步整流器、高效率 DC-DC 转换器、服务器和通信设备电源、电池管理系统（BMS）、电机驱动和功率负载开关等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器和电动助力转向系统（EPS）等关键功率控制模块。
　　由于其优异的热性能和高电流能力，DDM50S043 也适用于需要高功率密度和高可靠性的工业控制系统，如可编程逻辑控制器（PLC）、工业自动化设备和不间断电源（UPS）等。
　　此外，该 MOSFET 在光伏逆变器、储能系统以及新能源汽车的功率电子模块中也有广泛应用。