BZX84C15LT1G
时间:2022/11/24 14:51:09
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齐纳击穿电压Vz最小值(V):13.800
齐纳击穿电压Vz典型值(V):15
齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.600
概述
齐纳击穿电压Vz最小值(V):13.800
齐纳击穿电压Vz典型值(V):15
齐纳击穿电压Vz最大值(V):15.600
@Izt(mA):5
齐纳阻抗Zzt(Ω):30
最大功率PMax(W):0.225
芯片标识:Y4
封装/温度(℃):SOT-23/-65~150
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- BZX84C15LT1G
- 北京天阳诚业科贸有限公司
- 44693
- ON SEMICONDUCTOR
- 2216/SOT233
-
BZX84C15LT1G参数
- 标准包装10
- 类别分离式半导体产品
- 家庭单二极管/齐纳
- 系列-
- 电压 - 齐纳(标称)(Vz)15V
- 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
- 电流 - 在 Vr 时反向漏电50nA @ 10.5V
- 容差±6%
- 功率 - 最大225mW
- 阻抗(最大)(Zzt)30 欧姆
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
- 包装Digi-Reel®
- 工作温度-
- 其它名称BZX84C15LT1GOSDKR