型号：MB87Q1040LGA-ES
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：QDR II+ SRAM
　　存储容量：144Mb (8M x 18 / 4M x 36)
　　工作电压：1.5V ±0.1V
　　接口类型：并行
　　时钟频率：最高支持333MHz
　　数据速率：667 Mbps（每引脚）
　　访问时间：约1.5ns
　　封装类型：FBGA-165
　　引脚数量：165球
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：可配置为x18或x36模式
　　供电电压：核心电压1.5V，I/O电压1.5V
　　输入/输出逻辑标准：HSTL（High-Speed Transceiver Logic）
　　写入周期时间：最小1.5ns
　　读取周期时间：最小1.5ns
　　功耗：典型值约为1.2W（取决于使用条件）

MB87Q1040LGA-ES具备多项先进特性，使其成为高性能存储解决方案中的关键组件。首先，该芯片基于QDR II+架构，支持真正的四倍数据速率技术，在每个时钟上升沿和下降沿均可进行两次数据传输，实现每个时钟周期四次数据传送，极大地提升了数据吞吐率。这种架构特别适合需要频繁并发读写操作的应用环境，如网络交换缓冲区、实时信号处理等。
　　其次，该器件采用了分离读写端口（Separate Read and Write Data Ports）的设计，允许独立的数据读取和写入通道，避免了传统单端口或双端口SRAM中存在的读写冲突问题，提高了系统效率和响应速度。此外，它支持突发长度固定为2的传输模式，优化了总线利用率，并通过差分时钟（K/K#）驱动确保精确的时序控制与抗干扰能力，增强了信号完整性。
　　再者，MB87Q1040LGA-ES集成了HSTL（High-Speed Transceiver Logic）电平标准的I/O接口，具有较低的摆幅和快速切换特性，有助于降低功耗并提升高频下的信号质量。同时，其内部提供可编程驱动强度和片上终端匹配功能，便于匹配不同PCB走线阻抗，减少反射和串扰，进一步提高系统稳定性。
　　该芯片还具备低功耗管理模式，在空闲状态下可通过待机指令进入低功耗模式，有效节省能源消耗，尤其适用于对热管理有严格要求的紧凑型设备。另外，其FBGA-165封装不仅体积小巧，而且具备优良的散热性能，适用于高密度多层板布局。最后，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品的绿色制造要求。

MB87Q1040LGA-ES主要应用于对带宽和延迟极为敏感的高性能系统中。最常见的用途是在通信基础设施领域，例如核心路由器、多业务边缘路由器和光传输设备中，作为数据包缓冲存储器或队列管理单元，用于临时存储高速流动的数据帧，确保数据转发的连续性和低延迟。
　　在无线通信系统中，该芯片被广泛应用于4G LTE及5G基站的基带处理单元，承担信道编码、解码过程中的中间结果缓存任务，因其高并发读写能力和确定性延迟表现优异，能够有效支撑大规模MIMO和波束成形算法的实时运算需求。
　　此外，在测试与测量仪器领域，如高速逻辑分析仪、协议分析仪和示波器中，MB87Q1040LGA-ES常被用作采集数据的高速暂存区，以应对瞬态信号的快速捕获与回放需求。
　　在企业级网络交换机中，该器件也发挥着重要作用，用于实现ACL（访问控制列表）、路由表查找加速以及流量整形等功能模块的数据缓存。同时，在某些高性能数字信号处理器（DSP）或多核FPGA系统中，它可作为协处理器之间的共享内存，提升多任务并行处理效率。
　　由于其稳定的工作温度范围和高可靠性，该芯片同样适用于工业自动化控制系统、航空航天电子设备以及军事通信平台等恶劣环境下的应用场景。

IS45Q1040BLGA-333CB2