BZX84-B6V8 时间：2025/9/15 2:12:57 阅读：11

BZX84-B6V8 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体分立器件业务）生产的精密表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），其标称齐纳电压为6.8V。该器件广泛应用于电压调节、参考电压生成以及过压保护等电路设计中，适用于便携式电子设备、电源管理模块和信号调节电路等场景。该齐纳二极管采用 SOD-323（SC-70）小型封装，适合高密度 PCB 布局。

参数

类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压（Vz）：6.8V（在 Izt = 5mA 条件下）
　　最大齐纳电流（Izmax）：100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-323（SC-70）
　　引脚数：2
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向漏电流（IR）：100nA（@ VR = 2V）
　　齐纳阻抗（Zzt）：85Ω（@ Iz = 5mA）

特性

BZX84-B6V8 齐纳二极管具有多项优良特性，适用于多种电子电路设计。
　　首先，该器件在标准测试条件下（Iz = 5mA）提供稳定的6.8V齐纳电压，容差为±2%，确保在电压参考和调节应用中具有高精度表现。
　　其次，其低齐纳阻抗（Zzt）为85Ω，有助于在负载变化时保持电压稳定，从而提高电路的稳定性和可靠性。
　　该器件的最大齐纳电流为100mA，最大功耗为300mW，使其能够适用于中等功率的电压调节需求，同时具备良好的热稳定性和过载能力。
　　此外，BZX84-B6V8 采用 SOD-323 小型封装，占用 PCB 空间小，适合高密度布局，且符合 RoHS 环保标准，适用于无铅焊接工艺。
　　其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保在各种环境条件下都能稳定工作，适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品。
　　反向漏电流极低（IR = 100nA @ VR = 2V），有助于降低静态功耗并提高电路效率。这些特性共同使得 BZX84-B6V8 成为一款性能稳定、应用广泛的齐纳二极管。

应用

BZX84-B6V8 主要用于需要稳定6.8V参考电压或进行电压调节的场合。
　　常见的应用包括：作为基准电压源用于运算放大器、比较器、ADC/DAC 等模拟电路中；用于稳压电路中以提供稳定的局部电压；在电源管理系统中用于过压保护或电压钳位；在电池供电设备中用于电压监测和管理；在接口电路中用于信号电平转换和保护。
　　由于其小型封装和高稳定性，BZX84-B6V8 也广泛应用于便携式设备、智能传感器、工业控制系统和汽车电子模块中。