时间：2025/9/4 15:44:40
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BM23FR0.8-10DP-0.35V(51) 是一款由ROHM（罗姆）半导体公司制造的FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。FRAM是一种非易失性存储器技术，结合了RAM的高速读写特性和ROM的非易失性特点。BM23FR0.8-10DP-0.35V(51) 以其低功耗、高速写入和高可靠性被广泛应用于需要频繁写入和数据存储的应用场景。
容量：8K位
组织结构：1K x 8位
电源电压：3.3V至5V
访问时间：10ns
封装类型：DP封装
引脚数量：28
工作温度范围：-40°C至+85°C
BM23FR0.8-10DP-0.35V(51) 的核心优势在于其使用铁电材料作为存储介质，这使得它在断电情况下依然能够保持数据完整性，同时具备接近SRAM的读写速度。这种技术消除了传统EEPROM和闪存所需的写入延迟，从而实现高速数据存储。此外，该芯片支持无限次的读写操作，极大地提高了数据存储的耐久性。由于其低功耗特性，BM23FR0.8-10DP-0.35V(51) 非常适合电池供电设备和对功耗敏感的应用场景。
该芯片的10ns访问时间使其适用于高速系统，而宽泛的工作电压范围（3.3V至5V）则增强了其在不同电源环境中的适应性。此外，其28引脚DP封装设计有助于简化PCB布局，并提供良好的散热性能。
BM23FR0.8-10DP-0.35V(51) 常用于需要快速、可靠数据存储的设备，如工业控制系统、智能卡读卡器、测量仪器、数据记录器和消费类电子产品。由于其非易失性和高速写入能力，该芯片特别适用于需要频繁更新数据的场景，例如日志记录、配置数据存储和实时数据缓存。
FM24V05-GTR
