时间：2025/4/30 11:53:04
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IPB036N12N3G是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管，采用TO-252 (DPAK)封装。该器件属于N沟道增强型MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高效能的功率管理电路中。其设计旨在实现低导通电阻和高效率的性能表现。
最大漏源电压：120V
最大连续漏电流：3.6A
栅极电荷：4nC
导通电阻：0.38Ω
功耗：1.5W
工作结温范围：-55℃ to 150℃
IPB036N12N3G具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关速度，能够有效降低开关损耗。
3. 较高的雪崩击穿能量能力，确保在异常条件下具备更高的可靠性。
4. 优化的热性能，适用于紧凑型设计且具备良好的散热表现。
5. 符合RoHS标准，支持环保要求。
该MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，包括降压和升压转换器。
3. 电池管理系统(BMS)，用于保护和监控锂电池。
4. 电机驱动电路，控制小型直流或步进电机。
5. 各种消费类电子产品的功率管理模块。
IPB037N12N3G, IRLZ44N
