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BZX584C16_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 4:18:15 查看 阅读:19

BZX584C16_R1_00001是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode)。齐纳二极管是一种利用反向击穿特性来提供稳定电压的二极管,常用于电压参考、稳压电路和保护电路中。该型号的齐纳电压为16V,适用于多种电子设备中的稳压需求。BZX584C16_R1_00001采用SOD-123表面贴装封装,适合在高密度PCB设计中使用。

参数

类型:齐纳二极管
  齐纳电压:16V
  最大齐纳电流:200mA
  最大耗散功率:300mW
  封装类型:SOD-123
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  最大反向漏电流(VR):100nA
  齐纳阻抗(Zzt):90Ω(最大)

特性

BZX584C16_R1_00001齐纳二极管具有多项优良特性,确保其在各种电子电路中稳定可靠地工作。首先,其齐纳电压为16V,具有较高的精度和稳定性,能够为电路提供可靠的电压参考。其次,该器件的最大齐纳电流为200mA,允许在相对较大的电流范围内使用,提高了其在不同应用中的灵活性。最大耗散功率为300mW,使其能够承受一定的功率负荷,适合用于中等功率的稳压场合。
  此外,BZX584C16_R1_00001采用SOD-123封装,体积小、重量轻,适用于表面贴装工艺,提高了PCB布局的灵活性并降低了制造成本。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适合在各种环境条件下使用,包括工业级和汽车级应用。器件的齐纳阻抗较低,最大为90Ω,有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性,减少电压波动。
  在反向偏置条件下,该齐纳二极管的最大漏电流仅为100nA,在非击穿状态下对电路的影响极小,从而提高了电路的整体效率。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性,BZX584C16_R1_00001被广泛应用于电源管理、电压调节、信号处理以及各种保护电路中。

应用

BZX584C16_R1_00001齐纳二极管广泛应用于各种电子设备和系统中,主要用于电压参考、稳压、过压保护和信号调节等场合。在电源管理电路中,它可以作为基准电压源,为线性稳压器、开关电源或其他电压调节电路提供稳定的参考电压。在模拟电路中,该器件可用于设定放大器的偏置电压或作为电压限制元件,防止信号过载。
  在工业自动化和控制系统中,BZX584C16_R1_00001可用于保护敏感的电子元件免受电压浪涌和静电放电(ESD)的影响,提高系统的可靠性和安全性。此外,它也常用于汽车电子系统,如车载电源、传感器电路和ECU(电子控制单元)中,以确保在复杂电气环境中稳定运行。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和家用电器,该齐纳二极管可用于电池电压监测、USB接口保护和电源适配器稳压等应用。由于其SOD-123封装的紧凑尺寸,BZX584C16_R1_00001特别适合高密度PCB设计,适用于需要空间优化的便携式设备。

替代型号

BZX584C16, BZX584C16-7, BZX584C16,115

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BZX584C16_R1_00001参数

  • 现有数量4,317现货
  • 价格1 : ¥1.91000剪切带(CT)5,000 : ¥0.29478卷带(TR)
  • 系列BZX584C2V4
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz)16 V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)40 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 nA @ 11.2 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900 mV @ 10 mA
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-79,SOD-523
  • 供应商器件封装SOD-523