类型：双极晶体管（BJT）
　　制造商：Microsemi（现为 Microchip）
　　封装类型：TO-257AA
　　最大集电极电流（Ic）：200mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：75V
　　最大功耗（Ptot）：30W
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　增益（hFE）：典型值 50-300（视电流条件而定）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

MM50-200B1-1 具有多个显著的性能特点。首先，其 TO-257AA 封装不仅提供了良好的散热能力，还确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。该晶体管的 fT（过渡频率）为 100MHz，适用于中高频范围的射频放大器应用。
　　其次，该器件的 Vce（max）为 50V，Vcb（max）为 75V，使其能够承受较高的电压应力，适用于多种功率放大电路设计。最大集电极电流为 200mA，在适当的散热条件下，可支持较高功率输出。
　　此外，MM50-200B1-1 的 hFE（电流增益）范围为 50 至 300，具体值取决于工作电流条件，这一特性使得它在不同放大电路配置中具有良好的灵活性。该晶体管能够在 -65°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和军事级应用环境。
　　最后，该器件的高可靠性和长寿命设计，使其成为通信设备、广播发射机、工业加热器以及射频测试设备中的理想选择。

MM50-200B1-1 主要用于射频功率放大器的设计和应用中。它在中波和短波广播发射机中作为前级或末级放大器使用，能够提供稳定的输出功率。此外，该晶体管还广泛应用于无线通信基础设施，如基站和中继器中的射频信号放大电路。
　　在工业领域，MM50-200B1-1 可用于高频感应加热设备中的功率放大模块，提供高效的能量转换。同时，它也被用于射频测试设备和信号发生器中，作为信号增强和驱动的关键元件。
　　由于其优异的温度特性和可靠性，MM50-200B1-1 也适用于需要高稳定性的军事和航空航天电子系统，如雷达和导航设备中的射频放大环节。

MM50-200B1-1 的替代型号包括：2N5179、2SC1969A、BLW64 和 MRF158。这些晶体管在某些应用场景中可以提供类似性能，但需根据具体电路设计进行匹配验证。