时间：2025/5/8 9:52:13
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SI4804CDY-T1-GE3是Vishay Siliconix公司生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用了TrenchFET Gen III技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关应用和功率管理领域。
该器件的封装形式为PowerPAK 1212-8，具有出色的热性能和电气性能，非常适合用于便携式设备、计算机外设以及通信系统中的负载开关、DC-DC转换器和同步整流等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅极源极电压：±8V
连续漏极电流：4.4A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
导通电阻（最大值）：9mΩ
栅极电荷：6.9nC
反向恢复时间：7ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
SI4804CDY-T1-GE3采用先进的TrenchFET工艺，实现了超低的导通电阻和栅极电荷，从而减少了导通损耗和开关损耗。
其PowerPAK 1212-8封装形式不仅体积小巧，还具备卓越的散热能力，使其能够在高功率密度的应用中保持稳定运行。
此外，该器件支持高达150°C的工作温度范围，适合在严苛环境下使用。
由于其低导通电阻和快速开关性能，该MOSFET特别适合于需要高效率和高频率操作的场合，例如多相 buck 转换器、负载点电源和电池供电设备中的电子保险丝等。
SI4804CDY-T1-GE3广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中，具体包括：
笔记本电脑和其他便携式设备中的负载开关。
高频DC-DC转换器中的功率开关。
通信系统的电源管理模块。
电子保险丝和过流保护电路。
电池管理系统中的同步整流元件。
SI4803CDY-T1-GE3
Si4405DY
Si4405DY-T1
