晶体管类型：NPN/PNP组合
　　集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT143

BZW04P13B 的主要特性之一是其集成化的晶体管设计，包含两个 NPN 和一个 PNP 晶体管，这使得它非常适合用于复杂电路中以减少元器件数量并提高电路的可靠性。这种器件在设计时考虑了高频性能，具有良好的射频特性，可以用于射频放大器和混频器电路中。
　　此外，BZW04P13B 的低噪声特性使其在音频放大和前置放大应用中表现出色。该器件的封装形式为 SOT143，这是一种小型表面贴装封装，非常适合高密度 PCB 设计。其工作温度范围广泛，适用于工业级应用环境，确保在极端条件下的稳定运行。
　　该晶体管的高可靠性也是其一大亮点，特别适用于对长期稳定性要求较高的工业控制、通信设备和汽车电子系统。BZW04P13B 的功耗较低，有助于减少整体系统的能耗，同时在高频率下保持良好的线性度，这对射频信号处理来说是至关重要的。

BZW04P13B 主要用于射频电路设计，例如射频放大器和混频器，其高频性能和低噪声特性使其成为通信设备中的理想选择。在音频放大领域，BZW04P13B 可用于高保真音频前置放大器的设计，提供清晰的音质表现。此外，该器件也广泛应用于工业控制电路中的信号处理模块，以及汽车电子系统中的传感器接口电路。
　　由于其集成化的设计和高可靠性，BZW04P13B 也适用于需要高稳定性的嵌入式系统和便携式电子设备。在这些应用中，器件的紧凑性和低功耗特性可以显著优化电路设计，提高整体系统效率。

BCW61, BCW62