UMK105UJ120JV-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高电压和高电流应用场景设计。该芯片采用先进的 U-MOS 技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高电源转换效率和系统可靠性。
这款芯片适用于工业设备、汽车电子、通信电源等多种领域,凭借其卓越的电气特性和稳定性,成为许多复杂电路的理想选择。
型号:UMK105UJ120JV-F
类型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源极电压):120V
Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
Id(持续漏极电流):105A
Qg(栅极电荷):65nC
EAS(雪崩能量):3.5J
fsw(最大开关频率):100kHz
封装形式:D2PAK(TO-263)
UMK105UJ120JV-F 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),在高负载电流下能有效减少功耗,提升效率。
2. 高击穿电压 Vds,确保芯片在高压环境下的稳定运行。
3. 快速开关速度,降低开关损耗,适用于高频应用。
4. 出色的热性能和大电流处理能力,使其能够在严苛的工作条件下保持高效。
5. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的鲁棒性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
这些特性使得 UMK105UJ120JV-F 成为需要高效率、高可靠性的电源管理系统中的关键组件。
UMK105UJ120JV-F 主要应用于以下场景:
1. 工业电机驱动与控制
2. 开关电源(SMPS)
3. 电动车辆(EV/HEV)的逆变器和 DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 通信基站电源
6. UPS 不间断电源
7. LED 驱动器
8. 其他需要高功率密度和高效率的电子系统
凭借其强大的性能和广泛的适用范围,UMK105UJ120JV-F 在现代电子设计中扮演着重要角色。
UMK100UJ120JV-F, IRFZ44N, FDP150N10A