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UMK105UJ120JV-F 发布时间 时间:2025/6/27 2:17:14 查看 阅读:6

UMK105UJ120JV-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高电压和高电流应用场景设计。该芯片采用先进的 U-MOS 技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,能够显著提高电源转换效率和系统可靠性。
  这款芯片适用于工业设备、汽车电子、通信电源等多种领域,凭借其卓越的电气特性和稳定性,成为许多复杂电路的理想选择。

参数

型号:UMK105UJ120JV-F
  类型:N-Channel MOSFET
  Vds(漏源极电压):120V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  Id(持续漏极电流):105A
  Qg(栅极电荷):65nC
  EAS(雪崩能量):3.5J
  fsw(最大开关频率):100kHz
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

UMK105UJ120JV-F 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),在高负载电流下能有效减少功耗,提升效率。
  2. 高击穿电压 Vds,确保芯片在高压环境下的稳定运行。
  3. 快速开关速度,降低开关损耗,适用于高频应用。
  4. 出色的热性能和大电流处理能力,使其能够在严苛的工作条件下保持高效。
  5. 内置 ESD 保护功能,增强芯片的鲁棒性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  这些特性使得 UMK105UJ120JV-F 成为需要高效率、高可靠性的电源管理系统中的关键组件。

应用

UMK105UJ120JV-F 主要应用于以下场景:
  1. 工业电机驱动与控制
  2. 开关电源(SMPS)
  3. 电动车辆(EV/HEV)的逆变器和 DC-DC 转换器
  4. 太阳能逆变器
  5. 通信基站电源
  6. UPS 不间断电源
  7. LED 驱动器
  8. 其他需要高功率密度和高效率的电子系统
  凭借其强大的性能和广泛的适用范围,UMK105UJ120JV-F 在现代电子设计中扮演着重要角色。

替代型号

UMK100UJ120JV-F, IRFZ44N, FDP150N10A

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UMK105UJ120JV-F参数

  • 现有数量23,198现货
  • 价格1 : ¥0.79000剪切带(CT)10,000 : ¥0.12687卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容12 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数U2J
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-