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CS8N65FA9R 发布时间 时间:2025/8/1 13:51:58 查看 阅读:10

CS8N65FA9R是一款由Consonance(芯导科技)生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的高压工艺制造,具备高耐压、低导通电阻以及良好的热稳定性,适用于多种高功率密度应用场景。CS8N65FA9R采用TO-252(DPAK)封装形式,便于安装和散热,适用于中高功率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等领域。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):650V
  最大漏极电流(ID):8A(Tc=25℃)
  导通电阻(RDS(on)):典型值为1.2Ω(VGS=10V)
  栅极电压(VGS):±30V
  漏极功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

CS8N65FA9R具有多项优异的电气和物理特性,使其在高压功率应用中表现出色。首先,其650V的漏源电压额定值使其适用于高电压输入环境,如AC/DC转换器和离线电源系统。其次,该MOSFET的导通电阻较低,典型值为1.2Ω,这意味着在导通状态下能够有效降低功率损耗,提高系统效率。
  此外,CS8N65FA9R具备较强的电流承载能力,最大漏极电流可达8A,在高负载条件下依然能够稳定运行。其±30V的栅极电压耐受能力确保了在高频开关操作中的稳定性,降低了栅极驱动电路的设计复杂度。
  在热性能方面,CS8N65FA9R采用TO-252封装,具备良好的散热性能,能够在高功率密度设计中保持较低的工作温度,从而提高系统的可靠性和寿命。同时,该器件具有较高的抗雪崩击穿能力,能够在瞬态过电压情况下提供额外的安全保障。
  CS8N65FA9R还具备快速开关特性,适用于高频开关电源和同步整流器等应用。其短的开关时间有助于减少开关损耗,提高整体能效。此外,该器件具有较低的输入电容和输出电容,有助于降低驱动损耗并提高响应速度。

应用

CS8N65FA9R广泛应用于多种高功率电子系统中,包括但不限于:
  1. AC/DC电源适配器和充电器,特别是在高输入电压环境下,如220V交流输入的电源系统。
  2. DC/DC转换器,用于工业控制、通信设备和新能源系统中的电压转换和稳压。
  3. 电机驱动电路,如无刷直流电机控制、风扇控制和伺服驱动系统。
  4. 电池管理系统(BMS),用于能量回收、充放电管理和电源切换控制。
  5. LED驱动电源,特别是在高亮度LED照明和舞台灯光控制系统中,要求高效率和稳定性的场合。
  6. 家用电器中的功率控制模块,如电磁炉、微波炉和空调系统中的开关电源部分。

替代型号

建议考虑使用SiHP08N65CFD、STF8NM65FD、FQP8N65C、IRF8N65CFD等型号进行替代。

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