IXTH11P45A 时间：2025/8/5 17:36:30 阅读：19

IXTH11P45A 是由 Littelfuse（前身为 IXYS）制造的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高电压、高频率开关应用，具有优异的热性能和可靠性，广泛用于工业电源、电机控制、UPS 系统和太阳能逆变器等领域。

参数

类型：MOSFET
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：450V
　　漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω
　　栅极电荷（Qg）：34nC
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

IXTH11P45A 采用先进的高压沟槽 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件具备良好的热稳定性和抗雪崩能力，适用于高频开关环境。其封装形式为 TO-247，便于散热和安装。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，适用于多种控制电路设计，包括 PWM 控制器和栅极驱动 IC。其快速开关特性可减少开关损耗，提高系统整体效率。
　　IXTH11P45A 的漏源电压高达 450V，能够在高压环境中稳定工作，适用于 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器、逆变器和功率因数校正（PFC）电路等应用场景。

应用

IXTH11P45A 主要用于需要高压、高效率开关的功率电子设备中。典型应用包括：工业电源、直流电机驱动器、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、LED 照明电源、电池充电器以及各类功率因数校正（PFC）电路。
　　由于其良好的热管理和高电压耐受能力，该器件也适用于高频电源转换器和开关电源模块，能够在恶劣工作条件下保持稳定性能。