BZV55B3V6 时间：2025/12/27 21:44:29 阅读：26

BZV55B3V6是一款由NXP Semiconductors（或其他制造商如Vishay、ON Semiconductor等）生产的齐纳二极管，属于BZV55系列。该系列是广泛应用于电压参考和稳压电路中的硅平面技术制造的低功率齐纳二极管。BZV55B3V6的标称齐纳电压为3.6V，在规定的测试电流条件下具有稳定的电压特性，适用于需要精确电压钳位或基准电压源的电子系统。该器件采用常见的DO-35玻璃封装，具备良好的热稳定性和长期可靠性，适合通孔安装。由于其紧凑的尺寸和可靠的性能，BZV55B3V6被广泛用于消费类电子产品、工业控制、电源管理模块以及信号调理电路中作为过压保护元件或电压参考源。此外，该齐纳二极管在反向击穿区工作时表现出较低的动态阻抗，有助于维持输出电压的稳定性。尽管现代设计中部分应用已被更高效的低压差稳压器（LDO）或专用基准源取代，但在低成本、小电流应用场景下，BZV55B3V6仍具有较高的实用价值和市场保有量。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：DO-35
　　标称齐纳电压：3.6V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：500mW
　　测试电流：5mA
　　最大齐纳阻抗：40Ω
　　工作温度范围：-65°C ~ +175°C
　　极性：单齐纳

特性

BZV55B3V6齐纳二极管的核心特性在于其稳定的电压调节能力和良好的温度系数表现。该器件在反向偏置状态下，当电压达到其标称齐纳电压3.6V时，会进入可控的雪崩击穿区域，从而实现对负载电压的有效钳位。这一过程依赖于精密的掺杂工艺和硅平面结构设计，确保了器件在不同批次之间具有一致的电气特性。在5mA的测试电流下，其动态阻抗不超过40Ω，意味着即使负载电流发生小幅波动，输出电压也能保持相对稳定，这对于构建简单的稳压电路至关重要。该器件的最大连续功耗为500mW，结合其热阻参数，可在环境温度较高时提供一定的安全裕度。BZV55B3V6的电压容差为±5%，即实际击穿电压范围在3.42V至3.78V之间，满足大多数非精密应用的需求。值得注意的是，3.6V齐纳电压接近硅材料的正向导通电压，因此该器件在正向偏置时也会表现出类似普通二极管的导通特性（约0.6~0.7V），这在某些双向保护电路中可能带来额外的设计灵活性。
　　该器件采用DO-35玻璃封装，具有体积小、重量轻的优点，适合自动化装配和手工焊接。其引线间距符合标准插件布局，便于在PCB上布线。由于采用无铅且符合RoHS环保要求的材料，BZV55B3V6适用于现代绿色电子产品制造。在温度稳定性方面，虽然低于5V的齐纳二极管通常表现出负温度系数，但通过优化制造工艺，制造商尽可能减小了温度漂移的影响，使其在-65°C到+175°C的宽温度范围内仍能可靠工作。这种宽温特性使其可用于汽车电子、工业传感器等恶劣环境下的电压参考应用。此外，BZV55B3V6具备良好的瞬态响应能力，能够快速抑制电压尖峰，因此也常用于静电放电（ESD）保护或开关噪声抑制场景。尽管其精度无法与专用电压基准IC相比，但在成本敏感型设计中，它提供了一种简单而有效的解决方案。

应用

BZV55B3V6主要应用于需要低电压稳压或参考电压生成的场合。一个典型的应用是在模拟电路中作为比较器或运算放大器的输入参考电压源，例如在窗口检测器或电平转换电路中，提供一个稳定的3.6V基准点。此外，它也常用于微控制器I/O端口的过压保护，防止因外部信号异常导致芯片损坏。在电源管理系统中，该器件可构成简单的并联稳压电路，为低功耗外设提供局部稳压，尤其是在没有合适固定式LDO的情况下。在电池供电设备中，BZV55B3V6可用于监测电池电压或实现欠压锁定功能。另一个重要用途是在反馈回路中作为电压采样元件，配合晶体管或光耦实现初级侧稳压控制，常见于隔离式DC-DC转换器或反激电源中。由于其响应速度快，也可用于高频信号的峰值限制或波形整形。在通信接口电路（如RS-232或CAN总线）中，该齐纳二极管可与其他TVS器件组合使用，增强系统的电磁兼容性（EMC）性能。此外，在测试测量仪器中，BZV55B3V6可用于校准电路或作为内部参考，保证设备长期运行的稳定性。对于教育实验和原型开发而言，由于其价格低廉、易于获取且使用简单，成为学习基本稳压原理的理想元件。