BZT52C4V7S W7是一款由Nexperia(安世半导体)生产的表面贴装(SMT)封装的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件的标称齐纳电压为4.7V,具有低动态电阻和良好的温度稳定性,适用于便携式设备、电源管理模块以及各种低功耗电子系统。其采用SOD-323(也称为SC-76)小型封装,便于在空间受限的PCB布局中使用。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压(Vz):4.7V(在测试电流Iz=5mA时)
最大齐纳电流(Iz_max):100mA
最大耗散功率(Ptot):300mW
动态电阻(Zzt):约90Ω(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:SOD-323(SC-76)
极性:单向齐纳二极管
BZT52C4V7S W7具有多项优良特性,使其在多种电子应用中表现出色。首先,其稳定的4.7V齐纳电压在较宽的工作电流范围内保持不变,确保了电压调节的可靠性。其次,该器件的动态电阻较低,通常为90Ω左右,这意味着在电流变化时其电压波动较小,有助于提高系统的稳定性。此外,BZT52C4V7S W7的温度系数较低,能够在不同的工作温度下保持良好的电压调节性能,适合在温度变化较大的环境中使用。
该齐纳二极管的SOD-323封装不仅节省空间,而且具备良好的热稳定性和机械强度,适用于自动化贴片工艺。其最大耗散功率为300mW,支持最大100mA的工作电流,足以满足大多数中低功率电路的稳压需求。此外,BZT52C4V7S W7具有良好的响应速度,能够在瞬态电压变化时迅速做出反应,从而有效保护后级电路免受电压波动的影响。
BZT52C4V7S W7广泛应用于各类电子设备中,主要用于电压参考、稳压和过压保护。例如,在电池供电设备中,它可以作为电压基准源,为ADC或比较器提供稳定的参考电压;在电源管理电路中,该器件可用于调节输出电压或作为反馈网络的一部分;在通信模块和传感器电路中,BZT52C4V7S W7可用于防止静电放电(ESD)和瞬态电压对敏感电路的损害。
此外,该齐纳二极管常用于微控制器系统的复位电路中,确保系统在电压低于设定阈值时自动复位,防止异常运行。由于其小型封装和优异性能,BZT52C4V7S W7特别适合用于便携式电子产品、工业控制系统、汽车电子模块以及消费类电子设备中的稳压与保护应用。
BZT52C4V7-7-F(Diodes Inc)、MM3Z4V7ST1G(ON Semiconductor)、1N4732A(通态电压相近,但封装不同)、BZX84C4V7(类似功能,但封装为SOT-23)