P140NF75 时间：2025/7/22 22:25:25 阅读：3

P140NF75是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件以其高电流容量、低导通电阻和良好的热性能而广泛应用于各种功率电子设备中。P140NF75采用TO-220AB封装形式，适合用于需要高效能和高可靠性的场合。该MOSFET的设计确保了在高频率开关应用中的优异性能，同时具备良好的抗雪崩能力。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：75V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：140A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤5.5mΩ（在VGS=10V）
　　最大功耗：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

P140NF75具有多项优异的电气和热性能特点。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在导通状态下的功率损耗显著降低，从而提高了整体效率。其次，该MOSFET具备较高的电流承载能力，能够支持高达140A的漏极电流，在高功率应用中表现出色。
　　此外，P140NF75采用了先进的平面工艺技术，确保了器件在高频开关操作中的稳定性和可靠性。其高栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，并提高开关速度。该MOSFET还具备良好的热阻性能，封装设计有助于快速散热，确保在高负载条件下仍能保持较低的温度升幅。
　　为了提高可靠性，P140NF75具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持正常工作。这使得它在电机控制、DC-DC转换器、电源管理等对可靠性和稳定性要求较高的应用中具有显著优势。

应用

P140NF75广泛应用于多个领域的功率电子系统中。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　在开关电源和DC-DC转换器中，P140NF75的低导通电阻和高电流能力能够显著提升效率，减少热量产生。在电机控制应用中，该MOSFET的高开关速度和良好的热性能使其能够应对频繁的启停操作和负载变化。
　　此外，P140NF75也适用于电池充电器和储能系统中的功率开关，其高可靠性和抗雪崩能力使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。在工业自动化和电力电子设备中，该器件常用于高频逆变器、负载开关和电源分配系统中。