类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　标称齐纳电压：30 V
　　最大齐纳电流：200 mA
　　最大耗散功率：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOD-523（SMD）
　　引脚数：2
　　最大反向漏电流（@ 25°C）：100 nA
　　齐纳阻抗（Zzt）：150 Ω（典型值）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

BZT52C30WQ具备良好的温度稳定性和快速响应能力，能够在输入电压波动或负载变化时保持输出电压的稳定性。其低动态阻抗特性有助于减少电压波动，提高电路的稳定性。该器件采用无铅环保封装材料，符合RoHS和REACH标准，适合在高可靠性要求的工业和汽车应用中使用。
　　此外，BZT52C30WQ的SOD-523封装形式使其适用于高密度PCB布局，节省空间的同时也便于自动化生产和焊接。该齐纳二极管的低反向漏电流特性在高温环境下依然保持良好，确保了在恶劣工作条件下的可靠性。
　　该器件的热阻（Rth(j-a)）为400 K/W，确保在高功耗条件下仍能维持良好的热性能。其设计适用于广泛的工作温度范围，能够适应严苛环境下的应用需求。

BZT52C30WQ广泛应用于需要稳定30V参考电压的电路中，如电源管理系统、电压监控电路、电池充电器、DC-DC转换器以及仪表测量设备。由于其符合AEC-Q101标准，因此在汽车电子系统中，如车载充电系统、ECU（电子控制单元）、车身控制模块以及车载娱乐系统中也常被采用。
　　此外，该器件也适用于工业控制设备、传感器信号调节电路、模拟-数字转换器参考电压源以及各种便携式电子设备中，提供可靠的电压参考和过压保护功能。

BZT52C30