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2SJ474-01S 发布时间 时间:2025/8/9 14:41:09 查看 阅读:23

2SJ474-01S 是一种P沟道功率MOSFET,广泛用于需要高效功率开关的应用中。该器件以其快速开关速度和高耐压性能著称,适合用于电源管理、DC-DC转换器以及电池供电设备中。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):10A
  功耗(Pd):100W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252

特性

2SJ474-01S具备优异的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下持续工作而不会显著影响性能。
  该器件的低导通电阻确保了在高电流下的高效能表现,同时减少了功率损耗。
  此外,其紧凑的TO-252封装设计使其非常适合高密度电路板布局,并提高了系统的整体稳定性。
  高速开关特性使得该MOSFET适用于高频应用,降低了开关损耗并提升了整体效率。
  其耐压性能优异,能够承受瞬时高压冲击,从而提高了器件的耐用性和安全性。

应用

2SJ474-01S 主要应用于电源转换设备,如AC-DC和DC-DC转换器,同时也广泛用于电池管理系统、马达控制电路以及各种高功率开关电路中。
  在消费类电子产品中,它常用于电源适配器、充电器和节能照明设备。
  在工业控制领域,该器件被用作高可靠性开关,适用于自动化设备和电源管理系统。
  由于其高可靠性和稳定性,2SJ474-01S也适用于汽车电子系统,如车载充电系统和电池管理系统。

替代型号

2SJ344, 2SJ123, 2SJ474-01

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