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BZT52C2V4LP-7 发布时间 时间:2025/10/31 16:41:35 查看 阅读:30

BZT52C2V4LP-7是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装稳压二极管(Zener Diode),属于BZT52C系列。该器件采用SOD-323封装,适用于需要小尺寸和高稳定性的低压直流电路中的电压调节与保护应用。其标称齐纳电压为2.4V,在额定测试电流下能够提供稳定的参考电压,广泛用于便携式电子设备、电源管理单元、信号调理电路以及嵌入式系统中作为基准源或过压保护元件。由于采用了先进的半导体制造工艺,BZT52C2V4LP-7具备良好的温度稳定性、低动态电阻和快速响应能力,能够在瞬态电压波动时有效钳位电压,防止下游敏感电路受损。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具有无卤素(Halogen-Free)特性,适合现代绿色电子产品设计需求。其小型化封装特别适合高密度PCB布局,同时支持自动化贴片生产流程,提升了制造效率和产品可靠性。

参数

型号:BZT52C2V4LP-7
  类型:齐纳二极管(稳压二极管)
  封装:SOD-323
  极性:单齐纳
  标称齐纳电压:2.4V
  容差:±5%
  最大耗散功率:200mW
  最大齐纳电流:200mA
  测试电流:1mA
  工作结温范围:-65°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  热阻θJA:625°C/W
  反向漏电流:≤1μA @ VR=1V

特性

BZT52C2V4LP-7的齐纳击穿电压典型值为2.4V,具有±5%的电压容差,确保在精密电路中提供可靠的电压基准。其在1mA的测试电流条件下实现标称稳压值,适用于低功耗应用场景,如电池供电设备、传感器接口和微控制器复位电路。该器件具备较低的动态阻抗,有助于维持输出电压的稳定性,即使在输入电压或负载电流发生小幅波动时也能保持良好的调节性能。
  该齐纳二极管采用SOD-323超小型表面贴装封装,尺寸仅为1.7mm x 1.25mm x 0.95mm,极大节省了PCB空间,特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对体积要求严苛的产品。SOD-323封装还具备良好的热传导性能和机械强度,支持回流焊工艺,适应现代高速自动化生产线。
  器件的最大功率耗散为200mW,在适当的散热条件下可长期稳定工作。其工作结温范围宽达-65°C至+150°C,展现出优异的环境适应能力,可在高温工业环境或低温户外设备中可靠运行。同时,该器件的反向漏电流极低(不超过1μA @ VR=1V),在待机或休眠模式下几乎不消耗额外电能,有利于延长电池寿命。
  BZT52C2V4LP-7符合国际环保标准,不含铅(Pb-free)并满足RoHS指令要求,且为无卤素产品,符合现代电子产品绿色环保的发展趋势。其高可靠性经过严格的质量控制流程验证,包括高温反偏试验(HTRB)、温度循环测试和恒定湿热试验,确保在各种恶劣环境下长期稳定工作。

应用

常用于便携式消费类电子产品中的电压参考源,例如蓝牙耳机、智能手环和无线遥控器等,为其内部模拟电路提供稳定的小电压基准;可用于电源监控电路中,配合比较器实现欠压锁定(UVLO)或过压保护功能;适用于I/O端口静电放电(ESD)防护,结合TVS器件提升系统抗干扰能力;在ADC或DAC电路中作为低电压基准,提高信号转换精度;也可用于LED驱动电路中进行电流设定与限压保护;广泛应用于通信模块、传感器信号调理、MCU复位电路及各类小型电源适配器中。

替代型号

PMEG2V4A

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BZT52C2V4LP-7参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.4V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50µA @ 1V
  • 容差±8%
  • 功率 - 最大250mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)100 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳2-XFDFN
  • 供应商设备封装2-DFN1006(1.0x0.6)
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称BZT52C2V4LPDIDKR