时间：2025/6/21 0:35:21
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IPD250N06N3G是一款N沟道增强型MOSFET，该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点。它适用于多种电源管理应用场合，包括但不限于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等。该器件的封装形式为TO-220，适合于较高的电流需求场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：250A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：48nC
输入电容：3140pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
IPD250N06N3G具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著减少功率损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达250A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，有助于提高系统效率。
4. 强大的热性能表现，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. TO-220封装提供了良好的散热性能，适应大功率应用场景。
这款MOSFET主要应用于需要高效功率转换和控制的领域，例如：
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的电池管理系统(BMS)。
5. 大功率LED照明系统的调光和开关控制。
IRFP250N
