时间：2025/6/22 11:06:22
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DMN3061SVTQ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种高效能功率管理应用。其小型化的封装设计使得它非常适合于空间受限的设计场景。
DMN3061SVTQ 的工作电压范围较广，能够承受较高的漏源极电压（Vds），同时具备较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗并提升系统效率。
最大漏源极电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：4.9A
导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V
总栅极电荷（Qg）：12nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：SOT-23
DMN3061SVTQ 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保高效的功率传输和最小的功耗。
2. 高速开关能力，适用于高频应用环境。
3. 小尺寸 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽工作温度范围，使其能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的合规性要求。
6. 高可靠性和耐用性，适合长时间运行的应用场景。
7. 支持逻辑电平驱动，简化了与控制器的接口设计。
DMN3061SVTQ 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 便携式电子设备中的电源管理。
6. 保护电路，如过流保护和短路保护。
7. 各种消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑配件。
DMN2990USG, DMN3028USN, BSS138
