工作电压：4.75V 至 5.25V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：20引脚 PDIP、SOIC、TSSOP
　　最大输出电流：±4mA（典型值）
　　传播延迟时间：典型值为12ns（在5V电源下）
　　功耗：静态电流典型值为20μA
　　输入电压范围：0V 至 VDD
　　输出类型：三态缓冲输出

40085BDM的主要特性包括其低功耗设计，非常适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。其高噪声 immunity 和宽电源电压范围使得该芯片在各种环境下都能稳定运行。该器件采用三态输出结构，能够有效防止总线冲突，允许在多个器件共享同一数据总线的情况下进行数据传输。此外，40085BDM具备快速的传播延迟，能够满足高速数据处理的需求。芯片还具备良好的热稳定性和抗干扰能力，确保了其在工业级温度范围内的可靠性。
　　每个锁存器在锁存使能（LE）为高电平时，其数据输入端（D）的状态会被传输到输出端（Q），当LE变为低电平时，输出端将锁存当前的数据。这种透明锁存器的设计使得数据可以在时钟控制下同步传输。此外，40085BDM采用CMOS工艺制造，具备较高的抗静电能力和较低的静态功耗。

40085BDM常用于数据缓冲、地址锁存、I/O接口控制、总线管理以及数字系统中的临时数据存储等场景。例如，在微处理器系统中，它可作为地址锁存器使用，用于锁存地址总线上的数据以便访问特定的存储器或外围设备。在通信系统中，它可用于同步和缓冲数据流。此外，在工业控制系统中，40085BDM可用于控制信号的存储与传递，实现精确的控制时序。

74HC573、74HCT573、CD4099B、MC74VHC573