时间：2025/8/15 1:27:11
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BZT52-C8V2 T/R 是一款由 Diodes Incorporated 生产的表面贴装（SMT）齐纳二极管（Zener Diode），具有稳定的电压参考特性，适用于各种电压调节和保护电路。该器件采用 SOD-123 封装，适合自动化贴片生产，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：8.2V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOD-123
最大反向漏电流（VR）：100nA（典型值）
最大齐纳阻抗（IZ=5mA）：10Ω
BZT52-C8V2 T/R 齐纳二极管具有多个显著特点。首先，其齐纳电压稳定且精度高，标称值为8.2V，公差通常控制在 ±5% 以内，适用于对电压精度要求较高的电路设计。其次，该器件采用了 SOD-123 表面贴装封装，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适用于空间受限的 PCB 设计。此外，其最大功耗为 300mW，在适当的散热设计下可以稳定工作于较宽的电流范围内。该器件的反向漏电流非常低，在常温下一般不超过 100nA，从而减少了在低功耗应用中的能量损耗。最后，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，适合在各种恶劣环境下使用，如工业控制、汽车电子等。
在电气特性方面，BZT52-C8V2 T/R 的齐纳阻抗较低，典型值为 10Ω，这有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。该器件的测试电流为 5mA，在此电流下其齐纳电压表现最为稳定。此外，其封装材料符合 RoHS 标准，无卤素，满足现代环保要求，适用于绿色电子产品制造。
BZT52-C8V2 T/R 主要应用于需要稳定电压参考或电压调节的场合。例如，在电源管理电路中，它可用于提供稳定的参考电压以供比较器或稳压器使用。在电池供电设备中，它可以作为低功耗电压参考源，确保系统在电池电压波动时仍能正常工作。此外，该器件也常用于过压保护电路中，作为钳位二极管防止敏感电子元件受到瞬态电压冲击。在模拟电路设计中，它可用于构建精密的电压基准，例如在运算放大器偏置电路中提供稳定的偏置电压。由于其封装小巧、性能稳定，该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各种传感器模块中。
BZX84-C8V2, MMSZ5246B, 1N4735A
