LH52256AVT是一款由Rochester Electronics生产的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有256Kbit的存储容量,采用高速CMOS工艺制造,适用于需要快速读写和低功耗设计的嵌入式系统和工业控制应用。LH52256AVT的封装形式为TSOP,便于在高密度电路板上安装。
容量:256Kbit
组织结构:32K x 8
电源电压:3.3V 或 5V 可选
访问时间:55ns / 70ns / 100ns 可选
工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
引脚数量:54
接口类型:并行
读取电流:最大100mA
待机电流:最大10μA
LH52256AVT是一款高性能SRAM芯片,具备高速访问能力和低功耗特性。其主要特性包括:
1. 支持多种访问时间选项(55ns、70ns和100ns),满足不同系统性能需求;
2. 宽电源电压范围(可支持3.3V或5V),兼容多种系统设计;
3. 低功耗设计,适合电池供电设备及高可靠性工业设备;
4. 工业级温度范围确保其在严苛环境下稳定运行;
5. TSOP封装形式减小了芯片体积,便于在高密度PCB中布局;
6. 并行接口设计简化了与微处理器或控制器的连接。
LH52256AVT广泛应用于需要高速数据缓存和可靠存储的场景,例如:
1. 工业自动化控制系统;
2. 通信设备中的数据缓冲区;
3. 医疗电子设备中的临时数据存储;
4. 消费类电子产品中的高速缓存模块;
5. 汽车电子系统,如车载信息娱乐系统和仪表盘控制模块;
6. 测试与测量设备中的数据采集与处理单元。
IS61LV256AL、CY62148EV、AS6C62256