6P41505NDGI 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高电子迁移率晶体管(HEMT),适用于高频和高功率应用场景。该器件采用先进的封装工艺,能够提供卓越的开关性能和效率。其设计旨在满足现代电源转换、射频放大器以及通信系统中的严格要求。
由于 GaN 的材料特性,6P41505NDGI 能够在更高的频率下工作,同时保持较低的导通电阻和较高的击穿电压,从而实现更高效的能量转换和更紧凑的设计。
类型:GaN HEMT
额定电压:650V
额定电流:40A
导通电阻:15mΩ
栅极电荷:90nC
开关频率:高达 5MHz
封装形式:TO-247-4L
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
输入电容:1200pF
6P41505NDGI 的主要特性包括:
1. 高效率:由于低导通电阻和快速开关速度,该器件能够在高频应用中实现高效率的能量转换。
2. 高功率密度:支持高功率输出,同时保持较小的外形尺寸。
3. 快速开关能力:开关频率高达 5MHz,适合高频电源和射频应用。
4. 热稳定性:即使在极端温度条件下也能保持稳定性能。
5. 低电磁干扰(EMI):优化的封装设计降低了电磁干扰的影响。
6. 高可靠性:经过严格的测试和验证,确保长期使用的可靠性。
这些特性使 6P41505NDGI 成为高频电源、DC-DC 转换器、无线充电系统和射频功率放大器的理想选择。
6P41505NDGI 广泛应用于以下领域:
1. 高频 DC-DC 转换器:在数据中心、电信设备和工业电源中用于高效能量转换。
2. 射频功率放大器:用于无线通信基站和雷达系统中的信号放大。
3. 无线充电系统:支持大功率无线充电应用,提高充电效率。
4. 激光雷达(LiDAR)驱动器:为自动驾驶和机器人领域的 LiDAR 系统提供高速驱动能力。
5. 可再生能源逆变器:用于太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
6. 电机驱动:在电动工具、无人机和其他小型电机控制应用中提供高效驱动解决方案。
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