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BZB984-C9V1,115 发布时间 时间:2025/9/13 23:26:18 查看 阅读:8

BZB984-C9V1,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该晶体管专为高频率和高增益应用设计,适用于射频(RF)放大、音频放大和通用开关电路。其高频率响应和低噪声特性使其在射频通信和信号处理领域中具有较高的性能表现。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vceo):30V
  集电极电流(Ic):100mA
  功耗(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT89
  频率(fT):250MHz
  增益带宽积:250MHz
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  噪声系数:3dB(典型值)

特性

BZB984-C9V1,115 具有优异的高频性能,能够在高达 250MHz 的频率下稳定工作,适用于射频信号放大和高速开关应用。
  该晶体管采用了低噪声设计,噪声系数仅为 3dB,适合用于对噪声要求较高的音频和射频前置放大电路。
  其 SOT89 封装结构具有良好的热稳定性和机械强度,适用于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产与组装。
  该晶体管具备多种 hFE(电流增益)等级可供选择,包括 hFE 范围从 110 到 800,以满足不同电路设计的需求。
  此外,其工作温度范围广泛,支持从 -55°C 到 +150°C 的极端环境条件,使其适用于工业级和汽车电子等高可靠性应用。

应用

BZB984-C9V1,115 主要用于射频放大器、音频前置放大器、通用开关电路以及低噪声放大电路的设计中。
  它广泛应用于无线通信系统中的射频前端,如无线发射器和接收器的信号增强模块。
  在音频设备中,该晶体管可作为低噪声前置放大器,用于提高信号的清晰度和质量。
  由于其高频率响应和良好的增益特性,该器件也适用于振荡器、混频器和调制电路的设计。
  此外,该晶体管还常见于工业控制、传感器接口、消费类电子产品以及汽车电子系统的电路设计中。

替代型号

BC847系列、2N3904、BFQ54、MMBT3904

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BZB984-C9V1,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)9.1V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 6V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大265mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)6 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-663
  • 供应商设备封装SOT-663
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934057240115BZB984-C9V1 T/RBZB984-C9V1 T/R-ND