时间：2025/6/19 11:54:32
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GA1206Y271MBLBR31G 是一款高性能的工业级 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有高效率、低导通电阻以及优异的热性能，能够满足多种复杂应用场景的需求。
此型号属于增强型 N 沟道 MOSFET，其设计使得它能够在高频开关条件下提供出色的性能表现。
最大漏源电压：120V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：65A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：3500pF
总功耗：240W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗，提升整体系统效率。
2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
3. 优秀的开关性能，适用于高频电路设计。
4. 增强的热稳定性，确保在极端条件下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅设计。
6. 提供强大的静电防护 (ESD)，保护器件免受损坏。
7. 小型封装选项，有助于节省 PCB 空间。
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