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BZB84-C6V8,215 发布时间 时间:2025/9/13 23:46:54 查看 阅读:11

BZB84-C6V8,215 是由恩智浦半导体(NXP Semiconductors)生产的一种齐纳二极管(Zener Diode),主要设计用于电压调节和保护电路中的应用。该器件采用SOD-123表面贴装封装,具有较小的封装尺寸和较高的稳定性,适用于各种电子设备中的稳压需求。齐纳二极管可以在反向击穿区域工作,提供稳定的参考电压。BZB84-C6V8,215 的标称齐纳电压为6.8V,适合低功耗和高精度要求的应用场景。

参数

类型:齐纳二极管(Zener Diode)
  制造商:恩智浦半导体(NXP Semiconductors)
  型号:BZB84-C6V8,215
  封装类型:SOD-123(表面贴装)
  标称齐纳电压:6.8V
  最大齐纳电流:200mA
  最大功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  引脚数量:2
  极性:单极
  最大反向漏电流:100nA(典型值)
  齐纳阻抗(Zzt):10Ω(典型值)

特性

BZB84-C6V8,215 是一款高稳定性和低温度系数的齐纳二极管,能够在各种工作条件下提供精确的电压调节。该器件具有出色的电压稳定性,即使在温度变化较大的环境下,其输出电压的漂移也非常小。此外,BZB84-C6V8,215 采用紧凑的SOD-123封装,使得其非常适合用于空间受限的电路设计。该器件的额定功耗为300mW,允许在低功耗应用场景中提供稳定的6.8V电压参考。齐纳二极管的动态阻抗较低,这有助于减少电压波动,并提高系统的整体稳定性。此外,该器件具有良好的反向击穿特性,确保在反向电压超过齐纳电压时能够有效地调节电压,防止后续电路受到损坏。
  在实际应用中,BZB84-C6V8,215 通常用于电源管理、电压参考、信号调节以及各种保护电路中。其低漏电流特性(最大100nA)有助于减少不必要的能量损耗,提高能效。由于其具备较高的可靠性,该器件广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子以及通信设备等各类电子产品中。此外,该齐纳二极管还具有良好的瞬态响应能力,能够在电压突变时快速调节,确保系统的稳定运行。由于其标准的SOD-123封装,BZB84-C6V8,215 也适用于自动贴片机和回流焊工艺,方便大批量生产和组装。

应用

BZB84-C6V8,215 主要用于需要稳定电压参考或电压调节的电路中。例如,在电源电路中,它可以作为稳压器,为后续电路提供稳定的6.8V参考电压;在传感器电路中,它可以用于提供精确的参考电压以确保测量的准确性。此外,该器件也常用于保护电路中,防止电压过载对敏感的电子元件造成损害。在模拟电路中,齐纳二极管可以作为基准电压源,用于比较器、运算放大器等电路中。在电池供电设备中,它也可以用于监测电池电压,当电压超过一定阈值时触发保护机制。由于其高稳定性和低功耗特性,BZB84-C6V8,215 也广泛应用于便携式设备、智能电表、工业控制系统和汽车电子系统中。

替代型号

BZX84-C6V8,215; BZV84-C6V8; BZB84-C6V8,315

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BZB84-C6V8,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭二极管/齐纳阵列
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)6.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电2µA @ 4V
  • 配置1 对共阳极
  • 功率 - 最大300mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)15 欧姆
  • 容差±5%
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-
  • 其它名称934061691215