P086A2002 时间：2025/7/28 15:32:52 阅读：13

P086A2002 是一款由 STMicroelectronics 生产的功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统等场合。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　漏极电流（Id）：连续 17 A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.125 Ω @ Vgs=10 V
　　功耗（Ptot）：100 W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装：TO-220FP

特性

P086A2002 具备出色的导通和开关性能，能够在高电压和大电流条件下稳定运行。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件采用了先进的平面工艺技术，具有优异的热稳定性，适用于高温环境下的持续运行。MOSFET 的封装形式为 TO-220FP，便于安装和散热设计，适用于多种功率电路布局。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压冲击，提高了系统的可靠性和稳定性。栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，便于集成到不同类型的功率系统中。同时，其快速开关特性降低了开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器应用。
　　在热管理方面，P086A2002 设计有较大的散热面积，使得在高负载条件下也能保持较低的温度上升，延长了器件的使用寿命。此外，其低门极电荷（Qg）进一步提升了开关速度，有助于减小外部驱动电路的复杂性。

应用

P086A2002 常用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制器、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该器件也适用于需要高效功率转换的新能源系统，如太阳能逆变器和电动车充电设备。其高耐压和大电流能力使其成为工业和汽车电子系统中常用的功率 MOSFET 之一。