时间：2025/9/14 6:41:36
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BZB784-C3V9,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的射频（RF）晶体管，主要用于高频放大器和射频功率放大应用。该器件采用了先进的硅双极型晶体管技术，具备良好的高频特性和功率处理能力。BZB784-C3V9,115通常用于无线通信、广播设备、测试仪器和其他需要高频率和高功率输出的电子系统中。
类型：射频晶体管
制造商：NXP Semiconductors
型号：BZB784-C3V9,115
晶体管类型：NPN
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30 V
最大集电极电流（IC）：200 mA
最大功耗（PD）：200 mW
工作温度范围：-65°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
频率范围：最高可达 1 GHz
增益（hFE）：在100 MHz时典型值为 80
射频功率输出：在100 MHz时典型值为 28 dBm
BZB784-C3V9,115是一款专为高频应用设计的射频晶体管，具有优异的性能和可靠性。该晶体管能够在高达1 GHz的频率下稳定工作，适用于各种射频放大器电路。其高增益特性使其在低噪声放大器和前置放大器中表现出色，能够有效提升信号强度。此外，BZB784-C3V9,115具备良好的线性度和失真特性，适合用于需要高保真信号放大的应用。
该晶体管的封装采用SOT-23小型封装形式，便于在高密度PCB设计中使用。其低功耗特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。BZB784-C3V9,115的热稳定性和过载保护能力也较强，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
此外，BZB784-C3V9,115还具备良好的匹配特性，能够在较宽的频率范围内实现高效的阻抗匹配。这使得它在无线通信系统、射频识别（RFID）设备、广播发射机和测试测量仪器中得到了广泛应用。其优异的射频性能和可靠性使其成为许多高频应用的首选器件。
BZB784-C3V9,115广泛应用于高频电子系统中，特别是在射频放大器和功率放大器电路中。它常用于无线通信设备中的射频前端放大器，以提升接收信号的强度。此外，该晶体管也常用于广播设备中的高频放大器，以增强发射信号的功率。在测试测量仪器中，BZB784-C3V9,115可用于构建高精度的射频信号源或放大器模块。由于其良好的高频特性和低功耗特性，它也被广泛应用于射频识别（RFID）系统、卫星通信设备和便携式无线电设备中。
BFQ19S, BFQ20S, BFR181W, BFR182W
