类型：双共阴极肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：50V
　　平均整流电流（IO）：2x1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A（8.3ms单半波）
　　最大直流阻断电压（VR）：50V
　　最大正向压降（VF）：0.53V @ 1A, 0.67V @ 2A
　　最大反向漏电流（IR）：0.5mA @ 50V, 25°C；10mA @ 50V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　引脚数：2
　　热阻抗（RθJA）：约75°C/W
　　安装方式：表面贴装（SMD）

BYT52MTAP50 的核心优势在于其采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在1A电流下典型值仅为0.53V，显著降低了功率损耗，提升了整体系统效率。这种低VF特性对于电池供电设备或对能效要求较高的应用尤为重要，能够有效减少发热并延长设备运行时间。同时，由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度和几乎无反向恢复时间（trr < 5ns），避免了传统PN结二极管在高频开关过程中产生的反向恢复电流尖峰，从而减少了电磁干扰（EMI）和开关损耗，特别适合用于高频DC-DC变换器中的续流或同步整流辅助路径。
　　该器件内部集成两个独立但共阴极连接的肖特基二极管，使得其在全波整流或双通道输出拓扑中可简化电路布局，减少元件数量，提高可靠性。例如，在LLC谐振转换器或多相Buck电路中，可以分别用于不同支路的续流路径。共阴极结构也便于实现中心抽头变压器的全波整流方案，提升变压器利用率。此外，SMA封装提供了较好的热传导性能，允许器件在较高环境温度下稳定工作，且易于自动化贴片生产，适合大规模量产。
　　Brightway Technology 对该系列产品进行了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温贮存（HTSL）、温度循环（TC）等，确保其在恶劣环境下仍保持稳定的电气性能。器件还具备较强的瞬态过载能力，可承受高达30A的非重复浪涌电流，增强了系统应对突发短路或启动冲击的鲁棒性。综合来看，BYT52MTAP50 在效率、尺寸、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是现代高效电源设计中的优选整流元件之一。

BYT52MTAP50 广泛应用于各类中小功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率和小尺寸设计的场合。常见应用包括手机充电器、笔记本电脑适配器、USB-PD电源模块、LED照明驱动电源以及家用电器中的辅助电源（如待机电源）。在这些应用中，它通常作为次级侧的整流或续流二极管使用，配合主控IC完成能量传递与电压调节功能。
　　在DC-DC转换器拓扑中，例如Buck、Boost或Flyback电路中，BYT52MTAP50 可用作续流二极管，防止电感电流突变导致的电压反冲，保护开关管。其快速响应能力和低正向压降有助于提升转换效率，特别是在轻载或变频模式下表现优异。此外，在太阳能微型逆变器或小型风力发电系统的MPPT控制器中，该器件可用于防反接和能量回馈路径，防止夜间或停机状态下电池倒灌电流。
　　由于其SMA封装的小型化特点，BYT52MTAP50 也非常适合用于空间受限的便携式电子设备，如移动电源、无线耳机充电仓、智能手表等。在这些设备中，电源管理极为关键，任何额外的功耗都会影响续航能力，因此选用低VF的肖特基二极管至关重要。同时，该器件也可用于信号级别的钳位、ESD保护和电压电平移位电路中，发挥其快速响应和低漏电的优势。

MBR2U40CT-7-F
　　SS24
　　SBM260HE3/54
　　BAT54C
　　B240LA-13-F