BX4190LNLT 时间：2025/10/10 23:46:28 阅读：11

BX4190LNLT是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装设计，适用于多种电源管理应用。该器件主要用于负载开关、电源路径控制以及电池供电设备中的开关功能。凭借其低导通电阻和高可靠性，BX4190LNLT在便携式电子设备中表现出色，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对空间和能效有严格要求的应用场景。该MOSFET具备良好的热稳定性和静电放电（ESD）保护能力，能够在较宽的温度范围内稳定运行，适合工业级和消费级产品的设计需求。其封装形式为小型表面贴装类型，有助于减少PCB占用面积，提高整体系统集成度。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。通过优化的栅极结构设计，BX4190LNLT实现了快速开关响应，降低了开关损耗，提升了系统效率。这款MOSFET特别适合用于需要频繁开启和关闭电源路径的场合，如热插拔控制或待机模式下的电源隔离。

参数

型号：BX4190LNLT
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大连续漏极电流（ID）：-5.1A
　　导通电阻RDS(on)：65mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻RDS(on)：80mΩ @ VGS = -4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：570pF @ VDS = -15V
　　反向恢复时间（trr）：未指定
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SSLP06P3X2-3

特性

BX4190LNLT具备多项优异的电气与物理特性，使其成为高性能电源管理系统的理想选择。首先，其P沟道结构允许在高端开关配置中直接使用，无需额外的电荷泵电路来驱动栅极，在简化设计的同时提高了系统效率。其次，该器件具有较低的导通电阻，特别是在-10V栅源电压下可达到65mΩ的典型值，这意味着在大电流条件下仍能保持较小的功率损耗和温升，从而提升整体能效并延长电池寿命。此外，即使在较低的-4.5V驱动电压下，其RDS(on)也仅为80mΩ，显示出良好的低压驱动能力，适用于由3.3V或5V逻辑信号直接控制的应用。
　　该MOSFET采用了ROHM专有的高性能制程技术，确保了器件的一致性和长期可靠性。其高达150°C的最大结温支持在严苛环境下的稳定运行，而-55°C的低温下限则保证了在极端寒冷条件下的正常启动与工作。输入电容仅为570pF，意味着所需的驱动能量较少，有利于降低驱动IC的负担，并实现更快的开关速度，从而减少动态损耗。尽管作为P沟道器件其开关速度通常略逊于N沟道同类产品，但BX4190LNLT通过优化内部结构显著改善了这一性能指标。
　　另一个关键优势是其封装形式——SSLP06P3X2-3，这是一种超小型无引脚封装，尺寸仅为约1.0mm × 1.6mm × 0.55mm，极大节省了印刷电路板空间，非常适合高密度布局的移动设备。该封装还具备良好的散热性能，通过底部暴露焊盘有效传导热量至PCB，增强热管理能力。此外，器件内置一定的ESD防护能力，可在生产装配和日常使用中提供一定程度的静电保护，减少因人为操作导致的损坏风险。综合来看，这些特性使BX4190LNLT在追求小型化、高效能和高可靠性的现代电子系统中具有重要应用价值。