您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 2SD1664 DAR

2SD1664 DAR 发布时间 时间:2025/8/10 12:30:16 查看 阅读:7

2SD1664 DAR 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于音频放大和开关应用。该晶体管采用TO-126封装,具有良好的热稳定性和可靠性。DAR后缀通常表示该晶体管为“达林顿”配置,即内部集成了两个晶体管以提供更高的电流增益。

参数

类型:NPN 达林顿晶体管
  封装:TO-126
  最大集电极-发射极电压(VCEO):80V
  最大集电极电流(IC):1.5A
  最大功耗(PD):40W
  电流增益(hFE):5000 - 80000(取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  过渡频率(fT):4MHz(典型值)

特性

2SD1664 DAR 晶体管具有高电流增益,非常适合需要高放大倍数的应用。其达林顿结构使其在保持较高增益的同时,也能承受较大的电流和电压。该晶体管的封装设计有助于散热,从而提高在高功率应用中的可靠性。此外,2SD1664在音频放大电路中表现出色,具有较低的噪声水平和良好的线性度,使其成为音响设备和功率放大器的理想选择。
  该晶体管还具有良好的热稳定性和耐久性,适用于长时间工作的工业设备和汽车电子系统。其较高的过渡频率(fT)使得该器件能够在中频范围内有效工作,扩展了其在射频和模拟电路中的应用范围。由于其广泛的应用领域和高可靠性,2SD1664 DAR 成为许多电子设计中的常用元件。

应用

2SD1664 DAR 主要用于音频放大器、功率放大器、开关电路、工业控制系统、汽车电子设备以及各种需要高电流增益的模拟电路中。其高增益特性也使其适用于传感器信号放大和低频驱动电路。

替代型号

2SD1664K DAR、2SD1664O DAR、2SD1664Y DAR

2SD1664 DAR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价