类型：双极性晶体管（NPN）
　　结构：双晶体管阵列（共集电极）
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-基极电压：30V
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大功耗：200mW
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作点不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-553

CHMCD7343 具备优异的高频响应特性，使其适合用于射频（RF）和高速开关应用。该器件的高电流增益（hFE）确保了良好的信号放大能力，同时其低饱和电压特性有助于降低功耗并提高效率。
　　此外，CHMCD7343 的 SOT-553 封装设计提供了较小的占板面积，适用于高密度 PCB 设计。其热阻较低，能够在较高的环境温度下稳定工作。
　　该晶体管阵列还具备良好的热稳定性和抗静电能力，适用于各种工业和消费类电子产品。其双晶体管结构可以实现复杂的模拟和数字电路功能，如差分放大器、达林顿对管配置等。
　　CHMCD7343 的制造工艺符合 RoHS 标准，支持环保型电子设备的设计。其高可靠性和长期稳定性使其成为汽车电子、通信设备和工业控制系统中的理想选择。

CHMCD7343 主要应用于音频放大器、射频（RF）信号放大、逻辑电平转换、马达驱动、LED 驱动电路、电源管理模块、传感器接口电路以及各种需要双晶体管协同工作的模拟和数字电路设计。
　　在汽车电子领域，CHMCD7343 可用于车身控制模块、车载娱乐系统和仪表盘显示驱动。在工业控制中，该器件适用于可编程逻辑控制器（PLC）、自动化设备和传感器信号调节电路。
　　由于其高频响应能力，CHMCD7343 也可用于无线通信模块中的信号放大和调制解调电路。在消费类电子产品中，该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、智能家居设备等产品的内部电路设计。

BC847BDSX, MMBT3904LT1G, 2N3904, 2N2222A