BUZ30A是一种NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于开关和放大应用。该晶体管具有较高的电流增益、低饱和电压以及良好的频率特性,适用于多种电子电路设计。其封装形式通常为TO-126或SOT-23等小型化封装,便于在空间受限的环境中使用。
BUZ30A广泛应用于电源管理、信号处理以及工业控制等领域,凭借其可靠性和稳定性,成为许多工程师在设计中的首选。
集电极-发射极击穿电压:45V
集电极最大电流:3A
直流电流增益(hFE):最小值80,典型值150
功率耗散:65W
过渡频率:7MHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
BUZ30A是一款高性能的NPN晶体管,具备以下特点:
1. 高电流增益:其直流电流增益(hFE)范围大,能够提供稳定的放大性能。
2. 低饱和电压:在开关模式下,BUZ30A的饱和电压较低,有助于减少功耗。
3. 宽工作温度范围:从-55℃到+150℃的工作温度使其适合极端环境下的应用。
4. 小型封装:支持TO-126等紧凑封装,节省PCB布局空间。
5. 良好的频率响应:7MHz的过渡频率使其适用于高频信号处理场景。
BUZ30A的设计结合了高效率与可靠性,非常适合需要稳定输出和快速响应的应用场景。
BUZ30A晶体管可以用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的开关元件。
2. 工业自动化设备中的驱动电路。
3. 电机控制和继电器驱动。
4. 消费类电子产品中的音频信号放大。
5. 各种线性稳压器及负载调节电路。
由于其出色的电气特性和稳定性,BUZ30A成为了众多设计中的关键组件。
BUZ30AN
2SD1188
MJE13005