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BUZ30A 发布时间 时间:2025/6/28 15:10:15 查看 阅读:6

BUZ30A是一种NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于开关和放大应用。该晶体管具有较高的电流增益、低饱和电压以及良好的频率特性,适用于多种电子电路设计。其封装形式通常为TO-126或SOT-23等小型化封装,便于在空间受限的环境中使用。
  BUZ30A广泛应用于电源管理、信号处理以及工业控制等领域,凭借其可靠性和稳定性,成为许多工程师在设计中的首选。

参数

集电极-发射极击穿电压:45V
  集电极最大电流:3A
  直流电流增益(hFE):最小值80,典型值150
  功率耗散:65W
  过渡频率:7MHz
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

BUZ30A是一款高性能的NPN晶体管,具备以下特点:
  1. 高电流增益:其直流电流增益(hFE)范围大,能够提供稳定的放大性能。
  2. 低饱和电压:在开关模式下,BUZ30A的饱和电压较低,有助于减少功耗。
  3. 宽工作温度范围:从-55℃到+150℃的工作温度使其适合极端环境下的应用。
  4. 小型封装:支持TO-126等紧凑封装,节省PCB布局空间。
  5. 良好的频率响应:7MHz的过渡频率使其适用于高频信号处理场景。
  BUZ30A的设计结合了高效率与可靠性,非常适合需要稳定输出和快速响应的应用场景。

应用

BUZ30A晶体管可以用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的开关元件。
  2. 工业自动化设备中的驱动电路。
  3. 电机控制和继电器驱动。
  4. 消费类电子产品中的音频信号放大。
  5. 各种线性稳压器及负载调节电路。
  由于其出色的电气特性和稳定性,BUZ30A成为了众多设计中的关键组件。

替代型号

BUZ30AN
  2SD1188
  MJE13005

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BUZ30A参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压200 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流21 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.13 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-220
  • 封装Tube
  • 下降时间90 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散125 W
  • 上升时间70 ns
  • 工厂包装数量500
  • 典型关闭延迟时间250 ns
  • 零件号别名BUZ30AXK