时间：2025/12/3 18:46:44
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MLK1005S4N3ST000是一款由Murata（村田）公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属于该公司广泛使用的微型片式电容系列之一。该器件采用标准的0402封装尺寸（即1.0mm x 0.5mm），适用于高密度表面贴装应用，具有体积小、可靠性高和高频性能优良的特点。这款电容器的标称电容值为4.3nF（即4300pF），允许一定的容差范围，并设计用于在直流电压等级下稳定工作。其结构基于先进的陶瓷介质材料与内部电极叠层工艺，确保了低等效串联电阻（ESR）和良好的温度稳定性。作为无源元件中的关键组成部分，MLK1005S4N3ST000广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、射频模块以及各类精密模拟电路中。
该型号遵循严格的工业制造标准，具备良好的抗湿性和焊接耐热性，符合RoHS环保要求，并支持回流焊工艺。由于其小型化设计和优异的电气特性，该电容器特别适合空间受限但对信号完整性要求较高的应用场景。此外，Murata通过严格的质量控制流程保证产品的一致性与长期可靠性，使其成为许多OEM厂商在高频滤波、耦合、旁路和去耦等电路设计中的首选元件之一。
品牌：Murata
型号：MLK1005S4N3ST000
封装类型：0402（1.0 x 0.5mm）
电容值：4.3nF (4300pF)
容差：±0.1pF 或 ±0.2pF（具体依据批次和技术规格）
额定电压：6.3V DC
温度特性：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
介质材料：Ceramic (Class I)
安装方式：Surface Mount
老化率：≤ ±0.1% / decade hour
ESR（等效串联电阻）：极低
绝缘电阻：≥ 100 GΩ·μF 或 ≥ 500 MΩ min
TCR（温度系数）：0 ±30 ppm/°C
MLK1005S4N3ST000采用Class I陶瓷介质材料，具体为C0G（也称为NP0）材质，这种材料以其卓越的温度稳定性著称。在整个工作温度范围-55°C至+125°C内，电容值的变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论环境温度如何变化，其电容值几乎保持恒定，不会出现显著漂移。这一特性使得该器件非常适合用于对频率稳定性要求极高的电路中，例如振荡器、滤波器和谐振电路。C0G材料还具备极低的老化率，通常小于0.1%每十倍时间周期，从而确保长时间运行下的性能一致性。
该电容器具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其在高频应用中表现出色。即使在GHz级别的射频电路中，也能有效发挥去耦、旁路或阻抗匹配的作用，而不会引入明显的损耗或谐振失真。同时，由于其结构为多层叠层设计，内部电极交替排列并被陶瓷介质隔离，因此能够在微小的0402封装中实现较高的机械强度和电气可靠性。
MLK1005S4N3ST000支持自动化贴片生产，符合EIA标准尺寸规范，可兼容现有的SMT生产线。其端子电极为镍阻挡层加锡镀层（Ni-Sn），具有良好的可焊性，并能承受多次回流焊过程而不影响性能。此外，该器件通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，适用于汽车电子、医疗设备和工业控制系统等对安全性和稳定性有严苛要求的应用场景。
该电容器常用于需要高精度和高稳定性的模拟电路设计中，尤其是在射频（RF）前端模块、无线通信系统（如Wi-Fi、蓝牙、ZigBee）、移动终端设备（智能手机、平板电脑）以及传感器信号调理电路中发挥重要作用。由于其C0G特性带来的零温度系数表现，它被广泛应用于LC谐振电路、PLL环路滤波器、时钟生成电路和带通滤波器等场合，确保频率响应的准确性不受温度波动影响。
在电源管理领域，尽管其容量较小，但由于其快速响应能力和低ESR特性，仍可用于高频开关电源的输出端进行局部去耦，抑制高频噪声传播。此外，在高速数字电路中，MLK1005S4N3ST000也可作为IC电源引脚的旁路电容，减少瞬态电流引起的电压波动，提升系统稳定性。
因其微型化设计，该器件特别适用于可穿戴设备、TWS耳机、微型摄像头模组等空间极度受限的产品中。同时，在汽车电子中，如ADAS系统的雷达模块或车载信息娱乐系统中，该电容也用于信号耦合与噪声抑制，保障复杂电磁环境下系统的可靠运行。
GRM1555C1H431JA01D
CL2010NG431JAAN
CC0402NGP431J
