型号：APM7334KC-TRG
　　类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-13A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：520pF（@ VDS = 15V）
　　开关时间（开启时间）：8ns
　　开关时间（关断时间）：20ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/焊盘：SOT-23

APM7334KC-TRG采用先进的沟槽型MOSFET工艺，确保在低电压操作下实现优异的电气性能。其核心优势之一是具备极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS = -10V时仅为45mΩ，而在实际常见的-4.5V驱动条件下也仅达到55mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了电源系统的整体效率。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，因为它能够延长电池续航时间并减少发热问题。该器件支持高达-4.4A的连续漏极电流，且脉冲电流能力可达-13A，使其能够在瞬态负载变化中保持稳定运行，适用于需要短时大电流输出的应用场景。
　　另一个关键特性是其优化的开关行为。APM7334KC-TRG具有较低的栅极电荷（典型值Qg = 10nC @ VDS = 15V）和输入电容（Ciss = 520pF），这意味着它可以在高频开关环境中快速响应控制信号，从而降低开关损耗并提升转换效率。这对于现代高频率工作的DC-DC变换器和同步整流电路非常有利。同时，较短的开启时间和关断时间（分别为8ns和20ns左右）进一步增强了其动态响应能力，减少了交叉导通风险。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性与可靠性。其最大结温可达+150°C，并配有高效的SOT-23封装以促进热量散发，即使在紧凑布局中也能维持正常工作。此外，±20V的栅源电压耐受能力提供了足够的安全裕度，防止因驱动异常或噪声干扰导致器件损坏。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，适用于某些需要续流功能的拓扑结构。总体而言，APM7334KC-TRG凭借其低导通电阻、快速开关速度、高电流承载能力和小型化封装，成为众多中低端功率管理应用的理想选择。

APM7334KC-TRG主要应用于各类便携式电子设备和低电压电源管理系统中。常见用途包括移动电话、平板电脑、笔记本电脑和其他手持设备中的负载开关或电源路径管理模块，用于控制不同子系统的供电通断，实现节能与电源隔离功能。在电池供电系统中，它可以作为高边开关使用，配合控制器实现电池充放电管理或防止反向电流流动。此外，该器件也广泛用于DC-DC降压变换器（Buck Converter）中的同步整流部分，替代传统的肖特基二极管以降低导通压降和功耗，从而提升转换效率。由于其P沟道特性，无需额外的自举电路即可实现上管驱动，简化了电路设计复杂度。
　　在嵌入式系统和微控制器外围电路中，APM7334KC-TRG可用于逻辑电平转换、电源多路复用（Power Multiplexing）以及热插拔保护等功能模块。例如，在双电源切换系统中，它可以作为理想二极管使用，自动选择较高电压的电源为系统供电。此外，该器件还可用于LED背光驱动电路中的电流控制开关，或者作为电机驱动电路中的低端开关元件，适用于小型直流电机或步进电机的启停控制。
　　工业与消费类电子产品中，如智能家居设备、无线传感器节点、USB供电设备（如集线器、充电器）等，也需要高效、小型化的功率开关元件，APM7334KC-TRG正好满足这些需求。其SOT-23封装便于自动化贴片生产，适合大规模制造。同时，该器件符合环保标准，支持无铅回流焊工艺，适用于追求绿色制造的企业。总之，APM7334KC-TRG凭借其高性能与紧凑设计，已成为现代低功耗、高集成度电子产品中不可或缺的关键元器件之一。

AO3415
　　Si2301DDS
　　FDMC7662