BUW41B 时间：2025/8/7 15:36:14 阅读：21

BUW41B是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率应用，如电源管理、开关电源（SMPS）和电机控制。这款MOSFET由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性。由于其卓越的性能，BUW41B常用于汽车电子、工业自动化、消费类电子产品和通信设备等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：连续7A，脉冲50A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.3Ω（在VGS=10V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V（在VDS=10V时）
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-220AB
　　功耗（PD）：125W

特性

BUW41B是一款性能优异的功率MOSFET，其核心特性之一是低导通电阻，这使得它在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具备较高的电流承载能力，可支持高达7A的连续漏极电流和50A的脉冲电流，适用于需要瞬时高功率输出的应用场景。
　　该MOSFET采用了先进的封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性，能够在较高的环境温度下稳定工作。其栅极阈值电压范围为2V至4V，使其适用于多种驱动电路设计，尤其是在基于微控制器或数字信号处理器（DSP）的系统中。
　　BUW41B还具有良好的抗雪崩能力，能够在短时间内承受过压和过流条件而不损坏，提高了系统的可靠性和安全性。这一特性使其特别适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等应用。
　　另外，该器件具有快速开关特性，能够在高频条件下高效运行，从而减小外部电路的尺寸并提高整体系统效率。这使其在现代高功率密度设计中具有显著优势。

应用

BUW41B广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，BUW41B用于主开关电路，能够实现高效率的能量转换。在电机控制应用中，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机，提供稳定的功率输出并实现精确的速度控制。
　　在汽车电子领域，BUW41B可用于车载电源管理系统、起停系统和电动助力转向系统（EPS）。由于其高可靠性和抗恶劣环境能力，非常适合在汽车应用中使用。
　　此外，BUW41B也常用于工业自动化设备中的电源管理模块、逆变器和UPS（不间断电源）系统中，以确保设备在各种负载条件下都能稳定运行。