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AO4403 发布时间 时间:2025/6/9 15:17:22 查看 阅读:5

AO4403是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2020-6封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于便携式电子设备、负载开关、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率管理应用。AO4403的低导通电阻使其非常适合高效能要求的设计场景。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:3.1A
  导通电阻(典型值):75mΩ
  栅极电荷:4.5nC
  总电容:180pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

AO4403具有以下关键特性:
  1. 极低的导通电阻以减少功率损耗。
  2. 超小型DFN2020-6封装,节省PCB空间。
  3. 高开关速度,能够有效降低开关损耗。
  4. 工作温度范围宽广,适应各种恶劣环境。
  5. 符合RoHS标准,绿色环保。
  这些特性使得AO4403成为移动设备和其他紧凑型设计的理想选择。

应用

AO4403广泛应用于以下领域:
  1. 消费类电子产品中的负载开关。
  2. 电池供电设备中的电源管理。
  3. DC-DC转换器和降压电路。
  4. 便携式设备中的保护电路。
  其优异的性能表现使其特别适合需要高效率和小尺寸的应用场合。

替代型号

AO4404, AO4405, FDS6670

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AO4403参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C46 毫欧 @ 6.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1128pF @ 15V
  • 功率 - 最大3W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1019-6