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BUV21G 发布时间 时间:2022/12/21 15:25:00 查看 阅读:860

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:SWITCHMODE?

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):200V

    


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:SWITCHMODE?

    晶体管类型:NPN

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):40A

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):200V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.5V @ 3A, 25A

    电流 - 集电极截止(最大):3mA

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):20 @ 12A, 2V

    功率 - 最大:250W

    频率 - 转换:8MHz

    安装类型:底座安装

    封装/外壳:TO-204,TO-3

    包装:托盘

    供应商设备封装:TO-3


资料

厂商
ON Semiconductor

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BUV21G参数

  • 标准包装100
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列SWITCHMODE™
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)40A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)200V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 3A,25A
  • 电流 - 集电极截止(最大)3mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 12A,2V
  • 功率 - 最大250W
  • 频率 - 转换8MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-204AE
  • 供应商设备封装TO-3
  • 包装托盘
  • 其它名称BUV21G-NDBUV21GOSOS