时间：2025/9/14 23:17:24
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BUK9Y58-75B,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等领域。该器件采用 5-Pin DPAK（TO-252AA）封装形式，便于散热并适用于表面贴装工艺。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：130A
导通电阻 Rds(on)@Vgs=10V：5.8mΩ
导通电阻 Rds(on)@Vgs=4.5V：9.1mΩ
功率耗散（Ptot）：160W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：5-Pin DPAK（TO-252AA）
BUK9Y58-75B,115 具备多项优异性能，使其在功率电子系统中表现出色。首先，其极低的导通电阻 Rds(on)（在 Vgs=10V 时仅为 5.8mΩ）可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。该器件的高耐压能力（Vds=75V）使其适用于中高压功率转换应用，例如汽车电子系统和工业电源。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流在25°C下可达130A，适用于高功率负载的控制。其封装设计优化了热性能，有助于在高负载条件下保持较低的结温，提高器件的可靠性和使用寿命。
该器件还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下保持稳定，避免因瞬态电压冲击而导致的损坏。此外，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（支持4.5V~10V驱动），可直接由微控制器或PWM控制器驱动，简化外围电路设计。
综上所述，BUK9Y58-75B,115 在导通性能、热管理、可靠性和驱动兼容性方面均表现出色，是现代高效能功率系统中的理想选择。
BUK9Y58-75B,115 适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用场景：DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、高功率LED驱动器、汽车电子（如车载充电系统、启动系统）、工业自动化设备中的负载开关控制等。其优异的导通特性和热稳定性也使其在高效率电源模块和便携式大功率设备中具有广泛应用前景。
SiHH130N07GM-T1-GE3, FDP130N07B, IPB130N07B4-03
