时间：2025/9/14 10:52:38
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BUK9Y2R8-40HX 是恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性，适用于如DC-DC转换器、电源开关、电机控制和负载管理等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A（在Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：2.8mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（Ptot）：320W（在Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：PowerSO-10（也称为DPAK封装）
引脚数：3
安装方式：表面贴装（SMD）
BUK9Y2R8-40HX 采用恩智浦的先进TrenchMOS技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低功率损耗并提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计，同时具备优异的热稳定性，确保在高温环境下依然稳定工作。
该MOSFET内置保护机制，包括过温保护和雪崩能量保护，有助于提高系统的可靠性和耐用性。此外，其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用。
由于其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），BUK9Y2R8-40HX在开关过程中所需的驱动功率较小，有利于提高整体能效。其封装设计具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至PCB，延长器件寿命。
这款MOSFET还具备出色的抗短路能力，使其在突发故障条件下仍能保持稳定运行，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。
BUK9Y2R8-40HX 广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、服务器电源、工业自动化设备和车载电子系统等。由于其高效率和高可靠性的特点，特别适用于需要高性能功率开关的场合。
IPD90N06S4-03, FDD150N40，IRF150N40D，BUK9Y1R7-40H，BUK9Y3R8-40H，BUK9Y1R6-40H
