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IXFP90N20X3 发布时间 时间:2025/5/7 15:56:57 查看 阅读:11

IXFP90N20X3 是英飞凌(Infineon)推出的一款高性能 N 沣 道 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高效率电源转换应用。IXFP90N20X3 的额定电压为 900V,能够承受较高的反向电压,同时具备优秀的热性能和稳定性。
  这款 MOSFET 广泛应用于工业设备、电机驱动、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)等领域,尤其适合需要高效能和高可靠性的场景。

参数

最大漏源电压:900V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(典型值):150mΩ
  栅极电荷(Qg):85nC
  输入电容(Ciss):3400pF
  输出电容(Coss):160pF
  开关时间(tr):70ns
  开关时间(tf):40ns
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IXFP90N20X3 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关能力,减少开关损耗并支持高频操作。
  3. 高额定电压和大电流承载能力,确保在高压环境下的稳定运行。
  4. 内置雪崩保护功能,增强器件的鲁棒性,能够在异常条件下提供额外的安全保障。
  5. 小型封装设计,节省 PCB 空间,便于紧凑型设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。

应用

IXFP90N20X3 被广泛用于多种电力电子领域:
  1. 开关电源(SMPS),如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 工业电机驱动和变频器控制。
  3. 太阳能光伏逆变器中的功率级电路。
  4. 不间断电源(UPS)系统的功率模块。
  5. 电动汽车充电站和车载充电器。
  6. 各类高功率密度的电力管理系统。

替代型号

IXFK90N20T2, IXFH90N20T2

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IXFP90N20X3参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥60.90000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12.8 毫欧 @ 45A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)78 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5420 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)390W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220-3
  • 封装/外壳TO-220-3