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PMBTA13,215 发布时间 时间:2025/6/25 21:44:57 查看 阅读:23

PMBTA13,215 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高效率和优良的热性能。它能够承受较高的电流和电压,同时保持较低的功耗。此外,PMBTA13,215 提供了出色的开关特性和稳定性,适用于多种工业及消费类电子设备。
  由于其优异的电气特性,PMBTA13,215 在高功率密度应用中表现突出,尤其是在需要快速开关和高效能量转换的场合。

参数

最大漏源电压:60V
  最大漏极电流:40A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关速度:100ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

PMBTA13,215 具有低导通电阻,这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。其高电流承载能力使得该器件非常适合大功率应用。
  另外,该芯片的高开关速度可以降低开关损耗,并允许更高的工作频率,从而减小无源元件的尺寸和整个系统的体积。
  PMBTA13,215 还具备优良的热稳定性,确保在极端温度条件下依然能保持可靠的性能。此外,其紧凑的封装形式有助于简化PCB布局设计,同时提供良好的散热路径。

应用

PMBTA13,215 主要应用于开关模式电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及负载开关等领域。
  在通信设备中,这款功率MOSFET可用于电源管理模块,为各类射频单元和数据处理单元供电。在汽车电子领域,它可作为车载充电机的核心组件,或用于电动助力转向系统的驱动电路。
  此外,PMBTA13,215 还常被用作通用功率开关,在家用电器和工业自动化设备中实现对不同负载的有效控制。

替代型号

PMBTA12,215
  PMBTA14,215
  IRF3205
  FDP5800

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PMBTA13,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.5V @ 100µA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10000 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大250mW
  • 频率 - 转换125MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称933816520215PMBTA13 T/RPMBTA13 T/R-ND