时间：2025/9/14 12:59:02
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BUK9Y12-40E,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高效率、高频率开关应用而设计，适用于各种电源管理与功率转换系统。其采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。该器件封装在符合工业标准的SOT404（D2PAK）封装中，便于安装和散热管理。BUK9Y12-40E,115广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等领域。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：40V
最大漏极电流（Id）：80A（Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：160W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：SOT404（D2PAK）
BUK9Y12-40E,115 的核心特性之一是其极低的导通电阻，仅为12毫欧（mΩ），这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的TrenchMOS工艺，实现了高密度的电流传输能力与出色的开关性能。其160瓦的最大功耗设计支持在高负载环境下稳定运行，并通过SOT404封装提供良好的散热能力。该器件可在-55℃至+175℃的宽温度范围内工作，适应严苛的工业和汽车应用环境。由于其栅极电压范围为±20V，因此可兼容多种驱动电路，提高了设计灵活性。此外，该MOSFET具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提升高频应用中的性能。这些特性使其成为高效电源转换、电机控制和负载开关应用的理想选择。
BUK9Y12-40E,115 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于提高转换效率并降低热量产生，从而提升整体系统性能。它也广泛用于电机控制电路中，作为H桥结构中的开关元件，提供高效的双向电机驱动能力。在电池管理系统中，该器件可用于实现高效的充放电控制和负载隔离。此外，在汽车电子领域，该MOSFET可用于车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等应用。由于其高可靠性和良好的热性能，该器件也适用于工业自动化、服务器电源和UPS（不间断电源）系统等对稳定性要求极高的场合。
IRF3710, STD80N40F7, FDP80N40
