时间：2025/9/14 8:18:53
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BUK9M5R2-30E是一款由Nexperia（原Philips半导体部门）制造的高性能功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和优异的热性能。该器件适用于高电流、高效率的开关应用，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场合。该MOSFET采用SO8封装，具备良好的散热能力和可靠性，适用于工业和汽车电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
连续漏极电流(Id)：50A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：5.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
栅极电压(Vgs)：±20V
功耗(Pd)：37W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：SO8
工艺技术：Trench沟槽技术
BUK9M5R2-30E采用Nexperia的Trench沟槽MOSFET技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其5.2mΩ的Rds(on)在高电流应用中表现优异，能够有效降低功率损耗并减少发热。
该器件支持高达50A的连续漏极电流，在Tc=25°C条件下仍能保持稳定性能，适用于需要高电流承载能力的电源和电机控制应用。
其SO8封装形式不仅提供了良好的散热性能，还具有紧凑的尺寸，便于在空间受限的PCB布局中使用，同时具备较高的机械稳定性和可靠性。
此外，BUK9M5R2-30E具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业控制、车载系统和消费类电子产品。
该MOSFET还具备优异的雪崩能量耐受能力，增强了器件在高频开关应用中的稳定性和耐用性，降低了因电压尖峰引起的失效风险。
BUK9M5R2-30E广泛应用于多种高性能电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率电源模块和功率调节电路。
在工业自动化和电机控制领域，该器件可用于驱动高功率负载，如直流电机、电磁阀和继电器，提供稳定的开关控制和较低的功耗。
由于其优异的热性能和可靠性，BUK9M5R2-30E也常用于车载电子系统，如车载充电器、电池管理系统和车身控制模块。
此外，在消费类电子产品中，该MOSFET可应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路，实现高效能和长续航能力。
IPD90N03C4-03, SQM50N03-30E
