2N7002Q 是一款常见的 N 沣道沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于各种电子电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性,适用于中小功率应用场合。2N7002Q 在信号切换、负载驱动和电源管理等方面表现出色。
该器件采用了先进的制造工艺,能够确保在高温和高频条件下稳定工作。其封装形式通常为 SOT-23 小型表面贴装封装,非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:300mA
脉冲漏极电流:1.1A
导通电阻(Rds(on)):2.1Ω(在 Vgs=10V 时)
功耗:400mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
2N7002Q 的主要特性包括以下几点:
1. 高开关速度,适合高频应用;
2. 极低的输入电容,减少开关损耗;
3. 良好的热稳定性,可在较宽的工作温度范围内可靠运行;
4. 静态和动态性能优异,确保在多种电路中的高效表现;
5. 小型化封装,易于集成到现代紧凑型设计中;
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
2N7002Q 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源中的同步整流器;
2. 电池保护电路中的开关元件;
3. 信号切换和逻辑电平转换;
4. 小型电机驱动和负载控制;
5. 过流保护和短路保护电路;
6. 消费类电子产品中的电源管理单元;
7. 数据通信设备中的信号隔离与处理。
BSS138, 2N7000, BS170