类型：光耦合器（光电晶体管输出）
　　电流传输比（CTR）：20% - 400%
　　正向电流（IF）：60 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　工作温度范围：-55°C ~ +100°C
　　封装类型：SMD-6
　　隔离电压：5300 VRMS
　　响应时间：约 10 μs

4N25300E 光耦合器具有多项优异的性能特点。首先，其内部的红外发光二极管与光电晶体管之间的电流传输比（CTR）范围广泛，从 20% 到 400%，这意味着该器件可以在不同的输入电流下保持良好的输出响应，适应多种电路设计需求。其次，该光耦支持高达 30 V 的集电极-发射极电压，适用于中高压控制电路。此外，4N25300E 提供高达 5300 VRMS 的隔离电压，确保了在高电压环境下信号传输的安全性与稳定性。其 SMD-6 封装形式便于自动化装配，适用于现代电子设备的高密度布局。工作温度范围从 -55°C 到 +100°C，使其能在各种恶劣环境中稳定运行。响应时间约为 10 μs，满足大多数工业控制和电源管理应用对速度的要求。
　　在实际应用中，4N25300E 还具备良好的抗干扰能力，能够有效防止电磁干扰（EMI）对信号传输的影响。其光电隔离特性不仅保护了前后级电路免受高压或电压波动的影响，还能防止地环路干扰，提高系统的整体可靠性。此外，该器件的低功耗设计也符合现代电子设备节能环保的趋势。

4N25300E 广泛应用于需要电气隔离的电子系统中。常见的应用包括工业自动化控制系统中的信号隔离、电源管理电路中的反馈控制、交流/直流电源转换器的隔离级、电机控制电路中的开关信号传输，以及通信设备中的接口隔离等。此外，该光耦也可用于家电、医疗器械和测量仪器等领域，确保设备在复杂电气环境中的安全与稳定运行。由于其高隔离电压和宽工作温度范围，4N25300E 在恶劣工业环境下的可靠性表现尤为突出。

4N25, 4N26, 4N35, PC817, TLP521