制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：QDR-II+ SRAM
　　存储容量：3.6 Mbit (256K × 18)
　　数据速率：500 Mbps（每数据引脚）
　　访问时间：250 ps（典型值）
　　工作电压：1.7 V ~ 1.9 V（核心电压 VDD/VDDQ）
　　接口类型：并行，QDR-II+
　　时钟频率：最高 250 MHz
　　输入/输出逻辑标准：SSTL_18 I/O
　　封装类型：165-ball BGA (11 × 15 mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数：165
　　产品生命周期：量产中
　　是否无铅：是
　　是否符合 RoHS：是
　　最大功耗：约 1.5 W（典型应用条件下）

CY7C1513KV18-250BZXI 具备多项先进的电气与架构特性，使其成为高性能网络系统的理想选择。首先，该器件采用 QDR-II+ 架构，实现了真正的分离式读写端口设计，允许在同一个时钟周期内同时执行一次读操作和一次写操作，显著提高了数据吞吐效率。这种全双工操作模式特别适用于交换结构、FIFO 缓冲、DMA 数据传输等需要持续高带宽的应用场景。其每个数据引脚支持高达 500 Mbps 的数据速率，配合 18 位数据宽度（包括 16 位数据加 2 位奇偶校验或 ECC），总带宽可达 9 Gbps 以上，满足现代通信系统对实时数据处理的需求。
　　其次，该芯片支持差分时钟输入（K/K#），有效抑制共模噪声，提升时钟边沿检测的准确性和系统稳定性，尤其在高频运行下表现优异。它还具备可编程的输出驱动强度控制功能，用户可根据实际布线阻抗调整驱动电流，优化信号完整性并减少反射和串扰。此外，器件集成 ZQ 引脚，支持外部参考电阻进行片内阻抗校准（ODT 和驱动器阻抗），确保在不同工艺、电压和温度（PVT）条件下保持稳定的终端匹配，进一步提升高速信号传输质量。
　　在电源管理方面，CY7C1513KV18-250BZXI 采用 1.8V 单电源供电（VDD/VDDQ），降低了整体功耗，同时支持部分节电模式（如待机模式），在系统空闲时自动进入低功耗状态，延长设备使用寿命并减少散热需求。其内部采用同步设计，所有输入输出均与时钟同步，简化了系统时序控制，并支持突发长度为 4 或 9 的连续访问模式，兼容多种主控处理器和 FPGA 的接口协议。最后，该器件通过严格的工业级温度认证（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下可靠运行，且封装符合 RoHS 指令要求，适用于绿色电子产品设计。

CY7C1513KV18-250BZXI 主要应用于对带宽和延迟极为敏感的高端通信与网络设备。典型应用场景包括核心路由器和多层交换机中的报文缓冲区管理，用于暂存高速数据包头信息或转发队列数据，确保线速转发能力。在无线基础设施中，该芯片可用于基站基带处理单元（BBU）或射频拉远单元（RRU）之间的高速数据交换，支持 LTE 和 5G 前传链路的数据缓存需求。此外，在测试与测量仪器领域，如高速逻辑分析仪、协议分析仪或自动化测试设备（ATE），该器件可作为临时数据采集缓冲区，实现高采样率下的连续数据流存储。
　　在嵌入式系统和 FPGA 加速平台中，CY7C1513KV18-250BZXI 常被用作协处理器或 DSP 模块的共享内存池，允许多个处理单元通过独立端口并发访问同一数据区域，提升并行计算效率。它也适用于军事与航空航天领域的雷达信号处理系统，其中需要在极短时间内完成大量回波数据的读写操作。由于其支持真正的双工操作和低延迟响应，该芯片还可用于构建高性能 FIFO 结构或环形缓冲区，在数据流控制、流量整形和拥塞避免机制中发挥关键作用。总之，凡是需要高吞吐、低延迟、高可靠性的实时数据交换场合，该 QDR-II+ SRAM 都是一个极具竞争力的选择。

CY7C1513KV18-250BZXC
　　CY7C1513KV18-225BZXI
　　CY7C1514KV18-250BZXC