IXTQ23N60Q是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电压和高电流应用。该器件具有23A的连续漏极电流和600V的漏源击穿电压,适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。IXTQ23N60Q采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合工业级应用。
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):23A
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.28Ω
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:TO-247
IXTQ23N60Q具有优异的导通和开关性能,适用于各种高功率电子设备。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:600V的漏源电压额定值,使其能够在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻:Rds(on)值为0.28Ω,有助于降低导通损耗并提高效率。
3. 高电流容量:支持23A的连续漏极电流,适合高功率密度的设计需求。
4. 快速开关特性:优化的开关性能,减少开关损耗并提高系统效率。
5. 过热和过流保护:内置保护功能,提升器件在恶劣工作条件下的可靠性。
6. 高可靠性:采用优质材料和先进制造工艺,确保长期稳定运行。
7. 封装优势:TO-247封装形式提供良好的散热能力,适应高功率工作环境。
IXTQ23N60Q广泛应用于各种电力电子设备中,包括:
1. 工业电源:如高功率开关电源、逆变器和直流-直流转换器。
2. 电机驱动:适用于工业电机控制和变频器系统。
3. 新能源领域:用于太阳能逆变器、储能系统和风能转换设备。
4. 电动车充电设备:适用于电动车充电站和车载充电器。
5. 电源管理模块:用于数据中心、服务器和通信设备的高效电源系统。
6. 电焊机和高频感应加热设备:提供高功率密度和高可靠性解决方案。
STW23N60M2, FQA23N60, IRFP4668