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IXTQ23N60Q 发布时间 时间:2025/8/6 9:51:51 查看 阅读:26

IXTQ23N60Q是一款由IXYS公司生产的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高电压和高电流应用。该器件具有23A的连续漏极电流和600V的漏源击穿电压,适用于需要高效能和高可靠性的电源系统。IXTQ23N60Q采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能和机械稳定性,适合工业级应用。

参数

漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):23A
  栅源电压(Vgs):±20V
  导通电阻(Rds(on)):0.28Ω
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-247

特性

IXTQ23N60Q具有优异的导通和开关性能,适用于各种高功率电子设备。其主要特性包括:
  1. 高耐压能力:600V的漏源电压额定值,使其能够在高压环境下稳定工作。
  2. 低导通电阻:Rds(on)值为0.28Ω,有助于降低导通损耗并提高效率。
  3. 高电流容量:支持23A的连续漏极电流,适合高功率密度的设计需求。
  4. 快速开关特性:优化的开关性能,减少开关损耗并提高系统效率。
  5. 过热和过流保护:内置保护功能,提升器件在恶劣工作条件下的可靠性。
  6. 高可靠性:采用优质材料和先进制造工艺,确保长期稳定运行。
  7. 封装优势:TO-247封装形式提供良好的散热能力,适应高功率工作环境。

应用

IXTQ23N60Q广泛应用于各种电力电子设备中,包括:
  1. 工业电源:如高功率开关电源、逆变器和直流-直流转换器。
  2. 电机驱动:适用于工业电机控制和变频器系统。
  3. 新能源领域:用于太阳能逆变器、储能系统和风能转换设备。
  4. 电动车充电设备:适用于电动车充电站和车载充电器。
  5. 电源管理模块:用于数据中心、服务器和通信设备的高效电源系统。
  6. 电焊机和高频感应加热设备:提供高功率密度和高可靠性解决方案。

替代型号

STW23N60M2, FQA23N60, IRFP4668

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IXTQ23N60Q参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C320 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3300pF @ 25V
  • 功率 - 最大400W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
  • 供应商设备封装TO-3P
  • 包装管件